RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

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概要

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我々は、MBE法を用いてN極性GaN上にInNを成長し、N極性InNドットの成長メカニズムについて調査した。RHEED観察によりInN層の格子緩和はN-rich条件において約1MLの成長で起きることがわかった。またAFM観察より、格子緩和後(1.74ML)の成長表面に直径12〜18nm(平均15.8nm)、高さ約0.3〜1.6nm(平均1.00nm)のInNドットの形成が見られた。これらのドットは成長表面全体に見られ、密度は3.8×10^<11>cm^<-2>と高い値を示した。またInNドットの成長について、InNドット同士の融合が起きるまでは主に高さ方向に成長し、成長温度が高い場合、表面マイグレーションの増加によりInNドットが大きくなることもわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-10-14

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