P型伝導InN実現とその物性評価 : 現状と問題点について(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

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概要

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InNは伝導帯下端の位置が低いことからnative defectsの電子レベルが伝導帯内部に形成され、高濃度の表面・界面電子蓄積層が現われるため、通常のホール効果による測定では、p型伝導特性を評価することが難しい。本論文では、MBE法により高純度化および高品質化を図ったInNにアクセプタ不純物としてMgを広い濃度範囲で添加し、電界液を用いた容量-電圧(ECV)特性評価を中心にp型伝導の制御性を検討した。その結果、アクセプタ濃度が3x10^<19>cm^<-3>程度まではp型伝導を実現できること、また、それ以上のMg濃度では過剰ドープ効果によりドナ性の欠陥が誘起され、再びn型伝導結晶になることがわかった。本論文では、InNのP型伝導制御と関連事項について、ECV評価法の問題点などを含み、その現状と問題点をまとめた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2008-11-20

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