InNの結晶欠陥とキャリアダイナミクス(<特集>窒化物半導体結晶中の欠陥)

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概要

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• InNは,室温で0.63eV程度の禁制帯幅,0.05m_0程度の有効質量が報告されている材料で,赤外光デバイスや高速電子デバイスへの応用が期待されている.しかし,残留電子密度は10^<17>cm^<-3>以上,貫通転位密度は10^9-10^<10>cm^<-2>台と高い.本報告では,InNの結晶欠陥と電子・正孔散乱特性を示す.InNでは表面電子蓄積のため,電気的測定による内部領域のキャリア密度・移動度解析が難しく,我々は赤外波長域での大きな屈折率分散を用いた分光解析によりこの困難性を克服した.この結果,刃状転位が電子・正孔散乱の一つの主要因であり,刃状転位の飛躍的低減が今後の移動度増加に必要であることがわかった.

著者

• 石谷 善博

  千葉大学大学院工学研究科

• 吉川 明彦

  千葉大学大学院工学研究科

• 吉川 明彦

  千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻

• 石谷 善博

  千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻

• 藤原 昌幸

  千葉大学大学院工学研究科電気電子コース

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