超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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高効率青緑域発光デバイスへの応用を目指した1分子層InN/InGaN/GaN量子井戸構造の結晶成長およびその発光ダイオードの試作評価を行った。従来報告してきた1分子層InN/GaN量子井戸構造では、主に380nm〜430nm域でのみ発光が観測されたのに対し、1分子層InN層とInGaN混晶を組み合わせた新規構造では約540nmの緑色域まで長波長化が可能であることがわかった。またこの構造を活性層とした発光ダイオードのElectroluminscenceスペクトルの注入電流依存性を評価したところ、約500nm域の発光領域においてもブルーシフトは観測されなかった。これは超薄膜InN井戸層形成効果による量子閉じ込めシュタルク効果の低減を示しており、本研究で提案する超薄膜InNナノ構造が新規高効率青緑域発光デバイスの活性層として有望であることがわかった。
- 2008-11-20
著者
-
崔 成伯
千葉大学大学院工学研究科
-
結城 明彦
千葉大学大学院工学研究科
-
渡邊 宏志
千葉大学大学院工学研究科
-
石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科
-
吉川 明彦
千葉大学大学院工学研究科
-
吉川 明彦
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
-
石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
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