RF-MBE法により成長したAlInN薄膜のCL測定による評価(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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InNのバンドギャップが光通信波長帯よりも長波長側に位置することから,InNを含むIII族窒化物半導体は,光通信波長帯の光デバイス材料として応用が期待されている。我々はこれまで,AlInN3元混晶について成長を行い,最適エピタキシ条件,構造,光学特性を調べてきたが,中間組成域でのInNとAlNとの非混和性に起因する相分離による結晶性の劣化が見られている。本報告では,RF-MBE法により成長した,Al組成が約50%であるAlInN系3元混晶について,CL測定による詳細な評価を行い,成長温度が高いAlInN薄膜では,結晶性の悪化を反映してCLスペクトルもエネルギー分布を示し,成長温度が低いAlInN薄膜では結晶性は良いものの,CLスペクトルは3次元成長島間の点欠陥に起因すると思われる,バンドギャップより低エネルギー側にピークをもったエネルギー分布をもつことが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-11-02
著者
-
崔 成伯
千葉大学大学院工学研究科
-
石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科
-
味村 裕
千葉大学工学部電子機械工学科
-
寺嶋 亘
千葉大学工学部電子機械工学科
-
崔 成伯
千葉大学工学部電子機械工学科
-
石谷 善博
千葉大学工学部電子機械工学科
-
吉川 明彦
千葉大学工学部電子機械工学科
-
吉川 明彦
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
-
吉川 明彦
千葉大学工学部
-
石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
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