崔 成伯 | 千葉大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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崔 成伯
千葉大学大学院工学研究科
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吉川 明彦
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
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石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
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石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科
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王 新強
千葉大学大学院工学研究科
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吉川 明彦
千葉大学大学院工学研究科
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崔 成伯
千葉大学工学部電子機械工学科
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石谷 善博
千葉大学工学部電子機械工学科
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吉川 明彦
千葉大学工学部
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吉川 明彦
千葉大学工学部電子機械工学科
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橋本 直樹
株式会社富士通研究所
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橋本 直樹
玉川大学工学部
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橋本 直樹
千葉大学大学院工学研究科
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橋本 直樹
弘前大学医学部第二外科:弘前大学医学部小児外科
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橋本 直樹
兵庫県立粒子線医療センター放射線科
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結城 明彦
千葉大学大学院工学研究科
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寺嶋 亘
千葉大学工学部電子機械工学科
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王 新強
JST-CREST千葉大学InNプロジェクト
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渡邊 宏志
千葉大学大学院工学研究科
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斉藤 英幸
千葉大学大学院工学研究科
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橋本 直樹
千葉大学工学部
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菊川 直博
千葉大学工学部
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吉谷 昌慶
千葉大学工学部
-
赤坂 康一郎
千葉大学工学部
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王 新強
千葉大学VBL
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味村 裕
千葉大学工学部電子機械工学科
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寺崎 亘
千葉大vbl
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崔 成伯
千葉大工
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橋本 直樹
JST-CREST千葉大学
-
石谷 善博
JST-CREST千葉大学
-
吉川 明彦
JST-CREST千葉大学
著作論文
- 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法により成長したAlInN薄膜のCL測定による評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- AlInN系3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlInN系3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlInN系3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- CS-6-1 分子線エピタキシー法によるInN系窒化物半導体量子井戸構造の作製と評価(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- P型伝導InN実現とその物性評価 : 現状と問題点について(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- P型伝導InN実現とその物性評価 : 現状と問題点について(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- P型伝導InN実現とその物性評価 : 現状と問題点について(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- InN系窒化物半導体のエピタキシー制御とナノ構造作製
- その場観察分光エリプソメトリーによるRF-MBE成長InNの成長表面ストイキオメトリー制御(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- その場観察分光エリプソメトリーによるRF-MBE成長InNの成長表面ストイキオメトリー制御(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- その場観察分光エリプソメトリーによるRF-MBE成長InNの成長表面ストイキオメトリー制御(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 窒化インジウム系ナノ構造発光デバイスの技術開発 (特集 LEDとデバイス技術)