王 新強 | 千葉大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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王 新強
千葉大学大学院工学研究科
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崔 成伯
千葉大学大学院工学研究科
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石谷 善博
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
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吉川 明彦
千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻
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吉川 明彦
千葉大学大学院工学研究科
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千葉大学大学院工学研究科
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株式会社富士通研究所
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玉川大学工学部
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橋本 直樹
千葉大学大学院工学研究科
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王 新強
JST-CREST千葉大学InNプロジェクト
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弘前大学医学部第二外科:弘前大学医学部小児外科
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橋本 直樹
兵庫県立粒子線医療センター放射線科
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結城 明彦
千葉大学大学院工学研究科
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千葉大学工学部電子機械工学科
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石谷 善博
千葉大学工学部電子機械工学科
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斉藤 英幸
千葉大学大学院工学研究科
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吉川 明彦
千葉大学工学部
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吉谷 昌慶
千葉大学工学部
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千葉大学工学部
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千葉大学VBL
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吉川 明彦
千葉大学工学部電子機械工学科
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寺崎 亘
千葉大vbl
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崔 成伯
千葉大工
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橋本 直樹
JST-CREST千葉大学
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石谷 善博
JST-CREST千葉大学
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吉川 明彦
JST-CREST千葉大学
著作論文
- 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- CS-6-1 分子線エピタキシー法によるInN系窒化物半導体量子井戸構造の作製と評価(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- P型伝導InN実現とその物性評価 : 現状と問題点について(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- P型伝導InN実現とその物性評価 : 現状と問題点について(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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- InN系窒化物半導体のエピタキシー制御とナノ構造作製
- その場観察分光エリプソメトリーによるRF-MBE成長InNの成長表面ストイキオメトリー制御(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- その場観察分光エリプソメトリーによるRF-MBE成長InNの成長表面ストイキオメトリー制御(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響 (電子デバイス)