王 新強 | JST-CREST千葉大学InNプロジェクト

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概要

• 同名の論文著者
• JST-CREST千葉大学InNプロジェクトの論文著者

関連著者

• 崔 成伯

  千葉大学大学院工学研究科

• 橋本 直樹

  株式会社富士通研究所

• 橋本 直樹

  玉川大学工学部

• 橋本 直樹

  千葉大学大学院工学研究科

• 王 新強

  JST-CREST千葉大学InNプロジェクト

• 吉川 明彦

  千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻

• 橋本 直樹

  弘前大学医学部第二外科:弘前大学医学部小児外科

• 王 新強

  千葉大学大学院工学研究科

• 石谷 善博

  千葉大学大学院工学研究科人工システム科学専攻

• 橋本 直樹

  兵庫県立粒子線医療センター放射線科

• 結城 明彦

  千葉大学大学院工学研究科

• 石谷 善博

  千葉大学大学院工学研究科

• 吉川 明彦

  千葉大学大学院工学研究科

• 斉藤 英幸

  千葉大学大学院工学研究科

• 寺崎 亘

  千葉大vbl

• 崔 成伯

  千葉大工

• 橋本 直樹

  JST-CREST千葉大学

• 石谷 善博

  JST-CREST千葉大学

• 吉川 明彦

  JST-CREST千葉大学

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著作論文

• 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• CS-6-1 分子線エピタキシー法によるInN系窒化物半導体量子井戸構造の作製と評価(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)

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