菊川 直博 | 千葉大学工学部
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概要
関連著者
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崔 成伯
千葉大学大学院工学研究科
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橋本 直樹
株式会社富士通研究所
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橋本 直樹
玉川大学工学部
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橋本 直樹
千葉大学大学院工学研究科
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崔 成伯
千葉大学工学部電子機械工学科
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石谷 善博
千葉大学工学部電子機械工学科
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吉川 明彦
千葉大学工学部電子機械工学科
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橋本 直樹
千葉大学工学部
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菊川 直博
千葉大学工学部
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吉川 明彦
千葉大学工学部
著作論文
- RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)