新プロセス編--青色デバイスの新しい製造プロセスの提案--光プロ-ブ法のアプロ-チ--SPI法による解析が決め手,LEDも2-6の可能性 (マルチメディア時代のキ-デバイス--青色デバイス革命<特集>)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• オーム社の論文

著者

• 吉川 明彦

  千葉大学工学部電子機械工学科

関連論文

• RF-MBE法により成長したAlInN薄膜のCL測定による評価(薄膜プロセス・材料,一般)
• AlInN系3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• AlInN系3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• AlInN系3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察 : N極性InNドット成長メカニズムの考察(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 局所的な光重合相分離により液晶中に形成されたポリマの形態評価
• 原子状水素によるGaAs(001)基板表面の超平坦化と純立方晶GaNの分子線エピタキシャル成長
• 原子状水素を用いて表面処理を行ったGaAs(001)基板上への高品質立方晶GaNのMBE成長
• 第6回II-VI族化合物国際会議報告
• GaAsに格子整合する超格子によるZnCdSSe擬似4元混晶の設計 (2-6族半導体発光材料の物性と青色デバイス)
• SPA法によるZnSe上のGaAs光MOMBE成長初期過程のその場観察 (電子材料高度評価技術)
• 25a-M-5 ZnSe-ZnS歪超格子のラマン散乱による折り返しモードの測定
• エキシマレ-ザ誘起光CVDにおける基板温度上昇の解析
• InP液相成長における液相エッチングの最適化
• スライド・ボ-トを用いた液相成長法によるInP薄膜の生成
• ファセットを利用したCdS/InP系太陽電池の反射損失の低減
• その場観察分光エリプソメトリーによるRF-MBE成長InNの成長表面ストイキオメトリー制御(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• その場観察分光エリプソメトリーによるRF-MBE成長InNの成長表面ストイキオメトリー制御(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 反射損失の影響を考慮したGaAlAs-GaAs型ヘテロフェイス太陽電池の最適設計〔英文〕
• 新プロセス編--青色デバイスの新しい製造プロセスの提案--光プロ-ブ法のアプロ-チ--SPI法による解析が決め手,LEDも2-6の可能性 (マルチメディア時代のキ-デバイス--青色デバイス革命)
• エキシマレ-ザを光源とした光CVD法によるアモルファスシリコンの堆積
• 対向陰極型直流マグネトロン放電プラズマCVD装置
• CdS-InPヘテロフェイス光トランジスタ製作及び特性
• CdS-InP系ヘテロ接合フォトトランジスタの解析
• ヘテロエピタキシャルCdS薄膜上への表面波電気音響ドメインの励振とその光プロ-ビング
• ZnS上のCdS膜中を伝搬する弾性表面波の伝搬特性の解析

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク