ZnSe/ZnSSe 超格子バッファー上 ZnCdSe/MgZnSSe 緑色半導体レーザ

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概要

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II-VI族化合物青/緑色半導体レーザ(LD)は高密度情報記録機器用の光源として期待されている.このLDの実用化に向けての最大の課題として,GaAs基板とII-VI族結晶界面に存在する欠陥の発生を抑制し素子の長寿命化を図ることがあげられ,様々な試みがなされている.本研究では, ZnSe/ZnSSe歪超格子バッファー層を基板/エピ膜界面に導入し,結晶性の向上について検討した.その結果, ZnCdSe/MgZnSSe量子井戸(QW)の室温フォトルミネッセンス(PL)の発光強度が,超格子バッファー層の導入により20倍以上増加することを見いだした.原子間力顕微鏡(AFM)を用いた観察により,超格子バッファー層は試料表面構造の改善にも効果がある事がわかり,試料表面の粗さは40%以上減少した.また,超格子バッファー層上にZnCdSe/MgZnSSe単一量子井戸型LDを試作し,緑色領域での室温パルス動作を得たのであわせて報告する.
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-10-26

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