多田 誠 | 上智大理工
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概要
関連著者
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多田 誠
上智大理工
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菊池 昭彦
上智大学理工学部
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多田 誠
上智大学理工学部
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岸野 克巳
上智大学理工学部
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菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
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岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
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菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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川井 瑞恵
上智大学理工学部
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関根 智幸
上智大理工:crest-jst
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鈴木 信太郎
上智大理工
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関根 智幸
上智大理工
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岸野 克巳
上智大理工
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菊池 昭彦
上智大理工:CREST-JST:上智ナノテク
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黒江 晴彦
上智大理工
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渡辺 耕平
上智大理工
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関根 智幸
科学技術振興機構CREST
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菊池 昭彦
科学技術振興機構CREST
-
岸野 克巳
科学技術振興機構CREST
著作論文
- RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 27aWA-3 GaNナノコラムおよびGaN/AlN超格子ナノコラムのラマン散乱(27aWA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 21aYD-10 GaN/AIN超格子ナノコラム結晶のラマン散乱(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
- 21aYD-9 GaNナノコラム結晶のラマン散乱(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
- RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))