6p-J-9 多面金属の極紫外吸収(II)GaのM_<45>吸収

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1976-09-16

著者

• 菅原 冬彦

  電総研

• 江尻 有郷

  東大教養

• 八百 隆文

  電総研

• 平野 正浩

  電総研

• 八百 隆文

  広島大工

• 小貫 英雄

  電総研

• 高橋 晴夫

  東教大光研

• 高橋 晴夫

  筑波大

関連論文

• 1. 座談会 : 日本のSOR物性研究の将来(シンクロトロン放射光による物性研究)
• 30p-E-9 無極性媒質中にドープしたアントラセンの光イオン化過程における電子-イオン再結合
• 30p-E-8 無極性媒質中にドープしたアントラセンの光電流スペクトルの構造の起源
• 28p-E-8 GaAs/AlAs 短周期超格子の時間分解分光
• 28a-E-9 MBE ZnSeの励起子系のUVピコ秒分光
• 1a-S-2 NaFの光電子放出
• 9a-A-3 LiFの光電子放出
• 3a-SH-3 ETL-ストレージリングからの軟X線の角度分布
• 7p-F-16 ストライプドメインの収縮運動
• 8p-M-2 光パルス列による磁気バブル高速運動の瞬間撮影(II)
• 8p-M-1 光パルス列による磁気バブル高速運動の瞬間撮影(I)
• 9p-Q-7 CsMnF_3の光吸収スペクトルの磁場変化
• 28p-QA-14 金属錯体の超構造II : 混晶系の光物性
• 3a-S4-9 選択配位エピタキシー法による金属錯体の人工積層構造の作成
• 金属錯体の人工格子材料実現に向けて--遷移金属錯体の選択配位エピタキシ-
• 28p-QA-13 金属錯体の超構造I : 選択配位エピタキシー法
• 遷移金属配位化合物の選択配位エピタキシャル成長とその展望
• 2a-D-6 GaAs/(AlAs)_n/GaAs単一量子壁のラマン散乱
• 30a-D-11 表面敏感EXAFSによる単原子界面層の構造解析 (I) : Si/Ge/Si
• 3a-F-17 GaAs:Si/AlAs超格子の磁気抵抗
• 3a-F-11 ZnS-ZnTe超格子の電子分光
• 14p-L-2 分子線エピタキシァル成長したZnSeの真性点欠陥とその生成機構
• 6p-J-9 多面金属の極紫外吸収(II)GaのM_吸収
• 7a-Q-11 多価金属の極紫外吸収(I) : Bi及びPbのO_吸収
• 2p-R-7 n-InSbの低温電子比熱
• 14a-W-5 n-InSbのエネルギー緩和
• 23a-G-13 n-InSbのエネルギー緩和II
• 6p-M-10 CdSの高電場移動度
• 2-6族化合物の原子層エピタキシ-
• 6p-M-4 n-InSbのエネルギー緩和
• 10a-Q-3 Field Enhanced Dissociation of Excitons in n-Ge
• 3p-C-3 フィボナッチ超格子における励起状態の伝播II
• 3p-C-2 フィボナッチ超格子における励起状態の伝播I
• 分子線エピタキシ(MBE)による電子材料の作成とテバイスへの応用 (半導体と電子材料の中期展望) -- (薄膜技術)
• RHEEDによるヘテロ界面での格子歪緩和の動的観察 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
• X線2結晶法によるGaAs(001)表面の評価
• 31p-LC-1 非晶質強磁性体の光電子分光
• 核研シンクロトロン放射による稀ガスの吸収スペクトル : 原子分子
• 3a-L-7 真空紫外領域の固体ガリウムの光学的性質II
• 13a-P-2 真空紫外領域の固体ガリウムの光学的性質
• 6a-M-2 SORの偏光特性
• 4a-P-1 KClの光電子放出
• 1a-TB-4 アルカリ・ハライドの光電子放出-1
• 2a GN-3 水平ブロッホライン生成に対する面内磁化層及び面内磁場の効果
• 3a-BJ-7 LPEガーネット膜におけるストライプドメインの収縮運動II
• 2a-LD-7 LPEガーネット膜におけるストライプドメインの収縮運動
• 9p-D-5 バブル磁区運動の高感度時間分解観察
• 磁区動特性測定用の実時間時間分解観測装置と,同装置を用いたLPEガ-ネット膜中のストライプ磁区収縮運動の研究 (磁性材料特集)
• 5a-M-16 (Nd_Dyx)Co_5単結晶のスピン再配列現象
• 7p-Y-8 DyCo_5のスピン再配列現象
• 10a-C-15 NdCo_5のスピン再配列(II)
• 10a-C-14 NdCo_5のスピン再配列(I)
• 6a-T-12 CdIn_2S_4の光学的電気的性質
• 1a-S-1 アルカリ弗化物の極紫外吸収
• 紫外領域における金の光学的性質(光物性)
• 27p-B-15 弗化物ペロブスカイトKMF_3(M: Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn)のUPS III
• 5a-DR-13 低速電子線による弗化物ペロブスカイト中の遷移金属イオンのd-d遷移
• 7a-G-8 RbMF_3(M;Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn)のXUV吸収スペクトル(II)
• 1p-NE-6 600MeV電総研電子蓄積リングの概略と電子蓄積の現状
• 31p-L-8 ペロブスカイト型遷移金属化合物の反射スペクトル
• 2p GP-7 Ga, In及びPbの最外内殻dバンドのUPSスペクトル
• R. K. Willardson and A. C. Beer編: Semiconductor and Semimetals, Vol.12; Infrared Detectors II, Academic Press, New York and London, 1977, xv+482ページ, 23.5×16cm, 14,560円.
• 5p-LU-9 Bi、Sb及びBi-Sb合金の極紫外吸収
• 31a-BG-4 KMF_3(M: Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn) の M(3p) 及び M(3s) XPS
• 31a-BG-3 弗化物ペロブスカイトのUPS II
• 7a-G-9 弗化物ペロブスカイトの光電子放出効率スペクトル
• 7p-J-1 KMF_3(M:Mn,Fe,Co,Cu,Zn)のUPS
• 7p-Q-5 RbMF_3(M;Mn, Fe)のXUV吸収スペクトル
• 7p-Q-4 KMF_3(M:Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn)のXPS
• 10p-T-18 KMnF_3, KZnF_3のXUV吸収スペクトル
• 30a-E-19 偏光変調分光によるK-ハライドプラズモンの研究
• 4a-TC-21 金属薄膜をコートしたアルカリハライドの斜入射偏光吸収
• 30p-L-7 KI K^+3P内殻励起子のL-T分裂
• 30p-P-4 アルカリハライドのプラズモンと励起子
• 金属のプラズマ共鳴吸収II : イオン結晶・光物性
• 極端紫外領域でのGeの光学定数 : 半導体
• 31a-Pα-10 Exciton L-T splittings in K-halides I
• 4a-C-6 アルカリハライドの極紫外における光学的性質(I)
• MBEの安全化に関する調査
• 27a-U-2 BiSb合金の極紫外吸収
• 12p-H-1 nonstationary electric conduction in n-Ge
• 5p-H-4 大きな超音波ポテンシャル下の電子の運動
• 7a-F-10 超音波とSuper Lattice
• 7a-F-9 高電界下の量子伝導現象
• シンクロトロン放射によるAl,MgのL_ L_吸収 : 半導体, イオン結晶, 光物性
• 斜入射真空紫外偏光による薄膜内縦モ-ド励起の測定
• 31a-Pα-11 Exciton L-T splittings in K-halides II
• タイトル無し
• 2p-L1-11 フィボナッチ超格子における励起電子の伝播(半導体,(表面・界面・超格子))
• 3a-G4-2 混合原子価白金錯体混晶の共鳴ラマン散乱(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 31p-BG-11 ZnS/ZeTe系超格子の積層状態(31p BG 表面・界面)
• 31p-J-11 超臨界流体を用いた物性研究の展望(31pJ イオン結晶・光物性(SOR,VUV))
• 1a-A3-6 GaAs-AlAs超格子のX線による解析(31p A3 X線・粒子線,X線・粒子線)
• 30p-K-2 アルカリハライドの量子井戸励起子 II(30pK イオン結晶・光物性)
• 29a-G-7 フィボナッチ超格子における励起状態の伝播(29aG 半導体(超格子))
• タイトル無し
• 29a-FC-7 AlAs-GaAs系の二重量子井戸のフォトルミネッセンス(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 30a-CF-12 GaAs/AlAs人工超格子の界面の歪み(30a CF X線・粒子線)
• 28a-G-8 Si/Ge超格子の表面敏感EXAFS(28aG 半導体(表面・界面・超格子))
• 30p-CQ-1 GaAs : Si/AlAs超格子のアンダーソン局在(低温)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク