遷移金属配位化合物の選択配位エピタキシャル成長とその展望
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 28p-E-8 GaAs/AlAs 短周期超格子の時間分解分光
- 28a-E-9 MBE ZnSeの励起子系のUVピコ秒分光
- 29p-P-3 熱アニールによるシリコン表面欠陥回復過程の高温STM"その場"観察
- 5p-S4-1 導電性有機錯体の結晶成長X/MX_2(X=NCS,NCSe)を含むET錯体
- 5p-S4-4 α-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の電子構造
- 28a-G-4 カルコパイライト型化合物の光照射による新物質創成
- 29p-M-4 CuInSe_2単結晶のラマン散乱
- 24p-M-5 GaAs中に埋め込まれたSi超薄膜のラマン散乱
- 5a-D-6 CuInSe_2のラマン散乱
- 27a-S-13 Ba_2YCu_3O_単結晶作製と評価
- 5p-L-6 一次元金属錯体の混晶の緩和励起子からの発光
- 28p-QA-14 金属錯体の超構造II : 混晶系の光物性
- 28p-QA-12 ハロゲン架橋混合原子価錯体の高圧効果V : 圧力と温度と化学修飾
- 29a-B-4 GaAsの深い準位からの発光の圧力効果 II
- 1a-A-14 GaAsの深い準位からの発光の圧力効果
- 3a-S4-9 選択配位エピタキシー法による金属錯体の人工積層構造の作成
- 27p-J-2 β-(BEDT-TTF)_2トリハライド混晶系の超伝導
- 金属錯体の人工格子材料実現に向けて--遷移金属錯体の選択配位エピタキシ-
- 28p-QA-13 金属錯体の超構造I : 選択配位エピタキシー法
- 28p-QA-11 混合原子価金錯体の光物性II : 電荷移動と次元性
- 遷移金属配位化合物の選択配位エピタキシャル成長とその展望
- 4a-A-14 複核白金錯体の偏光X線吸収スペクトル
- 4a-A-13 ハロゲン架橋混合原子価錯体の高圧効果III X線吸収スペクトル
- 13p-DD-14 ポーラス・シリコンのラマン散乱
- 2a-D-6 GaAs/(AlAs)_n/GaAs単一量子壁のラマン散乱
- 31a-P-12 ハロゲン架橋型白金錯体の光電子分光スペクトル
- 5a-D-3 発光から見た励起子の空間的広がり
- 29p-A-8 ハロゲン架橋型混合原子価金属錯体における圧力効果
- 2a-P-4 β-(BEDT-TTF)_2 trihalidesにおける温度-圧力相図
- 2a-P-3 β-(BEDT-TTF)_2I_3の圧縮率
- 30a-D-11 表面敏感EXAFSによる単原子界面層の構造解析 (I) : Si/Ge/Si
- 3a-F-17 GaAs:Si/AlAs超格子の磁気抵抗
- 3a-F-11 ZnS-ZnTe超格子の電子分光
- 14p-L-2 分子線エピタキシァル成長したZnSeの真性点欠陥とその生成機構
- 6p-J-9 多面金属の極紫外吸収(II)GaのM_吸収
- 7a-Q-11 多価金属の極紫外吸収(I) : Bi及びPbのO_吸収
- 2p-R-7 n-InSbの低温電子比熱
- 14a-W-5 n-InSbのエネルギー緩和
- 23a-G-13 n-InSbのエネルギー緩和II
- 6p-M-10 CdSの高電場移動度
- 2-6族化合物の原子層エピタキシ-
- 6p-M-4 n-InSbのエネルギー緩和
- 10a-Q-3 Field Enhanced Dissociation of Excitons in n-Ge
- 3p-C-3 フィボナッチ超格子における励起状態の伝播II
- 3p-C-2 フィボナッチ超格子における励起状態の伝播I
- 分子線エピタキシ(MBE)による電子材料の作成とテバイスへの応用 (半導体と電子材料の中期展望) -- (薄膜技術)
- 高感度ラマン分光装置の開発と超薄膜の評価
- Feasibility Study on the Extreme UV/Soft X-Ray Projection-type Lithography
- 結晶構造の3次元表示--パ-ソナル・コンピュ-タの応用
- RHEEDによるヘテロ界面での格子歪緩和の動的観察 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- X線2結晶法によるGaAs(001)表面の評価
- 29p-B-8 鎖状混合原子価結晶Wolffram's redのラマン散乱
- 29p-B-7 鎖状混合原子価結晶Wolffram's redの吸収スペクトル
- 3p GB-1 ハロゲン化パラジウムの光スペクトル
- MBEの安全化に関する調査
- 12p-H-1 nonstationary electric conduction in n-Ge
- 5p-H-4 大きな超音波ポテンシャル下の電子の運動
- 7a-F-10 超音波とSuper Lattice
- 7a-F-9 高電界下の量子伝導現象
- 2p-L1-11 フィボナッチ超格子における励起電子の伝播(半導体,(表面・界面・超格子))
- 3a-G4-1 混合原子価金錯体AuCl_2(DBS)の圧力効果(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 2p-G4-3 (BEDT-TTF)_2X塩の導電性と超伝導(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 1p-D3-12 YB_a2Cu_3O7-y単結晶の分域構造と超伝導(結晶成長)
- 3a-G4-2 混合原子価白金錯体混晶の共鳴ラマン散乱(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 2p-G4-1 導電性有機錯体の結晶成長 IX.MX_2(X=NCS,NCSe)を含むET錯体(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 31p-BG-11 ZnS/ZeTe系超格子の積層状態(31p BG 表面・界面)
- 30p-BD-3 ハロゲン架橋混合原子価錯体の高圧効果IV : 低温高圧下のスペクトル(30p BD イオン結晶・光物性(低次元,層状物質))
- 1a-A3-6 GaAs-AlAs超格子のX線による解析(31p A3 X線・粒子線,X線・粒子線)
- 28p-P-7 α-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の電子構造(2)(28pP 分子性結晶・液晶・有機半導体(BEDT-TTF塩))
- 31a-P-3 混合原子価金属錯体Cs_2Au(I)Au(III)Cl_6の高圧下のラマン散乱(31aP 分子性結晶・液晶・有機半導体(白金錯体他))
- 29a-G-7 フィボナッチ超格子における励起状態の伝播(29aG 半導体(超格子))
- 29a-FC-7 AlAs-GaAs系の二重量子井戸のフォトルミネッセンス(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 30a-CF-12 GaAs/AlAs人工超格子の界面の歪み(30a CF X線・粒子線)
- 28a-G-8 Si/Ge超格子の表面敏感EXAFS(28aG 半導体(表面・界面・超格子))
- 30p-CQ-1 GaAs : Si/AlAs超格子のアンダーソン局在(低温)