31a-P-3 混合原子価金属錯体Cs_2Au(I)Au(III)Cl_6の高圧下のラマン散乱(31aP 分子性結晶・液晶・有機半導体(白金錯体他))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1989-03-28
著者
関連論文
- 5p-S4-1 導電性有機錯体の結晶成長X/MX_2(X=NCS,NCSe)を含むET錯体
- 5p-S4-4 α-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の電子構造
- 27a-S-13 Ba_2YCu_3O_単結晶作製と評価
- 5p-L-6 一次元金属錯体の混晶の緩和励起子からの発光
- 28p-QA-14 金属錯体の超構造II : 混晶系の光物性
- 28p-QA-12 ハロゲン架橋混合原子価錯体の高圧効果V : 圧力と温度と化学修飾
- 3a-S4-9 選択配位エピタキシー法による金属錯体の人工積層構造の作成
- 27p-J-2 β-(BEDT-TTF)_2トリハライド混晶系の超伝導
- 金属錯体の人工格子材料実現に向けて--遷移金属錯体の選択配位エピタキシ-
- 28p-QA-13 金属錯体の超構造I : 選択配位エピタキシー法