分子線エピタキシ(MBE)による電子材料の作成とテバイスへの応用 (半導体と電子材料の中期展望) -- (薄膜技術)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 28p-E-8 GaAs/AlAs 短周期超格子の時間分解分光
- 28a-E-9 MBE ZnSeの励起子系のUVピコ秒分光
- 29p-P-3 熱アニールによるシリコン表面欠陥回復過程の高温STM"その場"観察
- 28p-QA-14 金属錯体の超構造II : 混晶系の光物性
- 3a-S4-9 選択配位エピタキシー法による金属錯体の人工積層構造の作成
- 金属錯体の人工格子材料実現に向けて--遷移金属錯体の選択配位エピタキシ-
- 28p-QA-13 金属錯体の超構造I : 選択配位エピタキシー法
- 遷移金属配位化合物の選択配位エピタキシャル成長とその展望
- 2a-D-6 GaAs/(AlAs)_n/GaAs単一量子壁のラマン散乱
- 30a-D-11 表面敏感EXAFSによる単原子界面層の構造解析 (I) : Si/Ge/Si
- 3a-F-17 GaAs:Si/AlAs超格子の磁気抵抗
- 3a-F-11 ZnS-ZnTe超格子の電子分光
- 14p-L-2 分子線エピタキシァル成長したZnSeの真性点欠陥とその生成機構
- 6p-J-9 多面金属の極紫外吸収(II)GaのM_吸収
- 7a-Q-11 多価金属の極紫外吸収(I) : Bi及びPbのO_吸収
- 2p-R-7 n-InSbの低温電子比熱
- 14a-W-5 n-InSbのエネルギー緩和
- 23a-G-13 n-InSbのエネルギー緩和II
- 6p-M-10 CdSの高電場移動度
- 2-6族化合物の原子層エピタキシ-
- 6p-M-4 n-InSbのエネルギー緩和
- 10a-Q-3 Field Enhanced Dissociation of Excitons in n-Ge
- 3p-C-3 フィボナッチ超格子における励起状態の伝播II
- 3p-C-2 フィボナッチ超格子における励起状態の伝播I
- 分子線エピタキシ(MBE)による電子材料の作成とテバイスへの応用 (半導体と電子材料の中期展望) -- (薄膜技術)
- RHEEDによるヘテロ界面での格子歪緩和の動的観察 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- X線2結晶法によるGaAs(001)表面の評価
- MBEの安全化に関する調査
- 12p-H-1 nonstationary electric conduction in n-Ge
- 5p-H-4 大きな超音波ポテンシャル下の電子の運動
- 7a-F-10 超音波とSuper Lattice
- 7a-F-9 高電界下の量子伝導現象
- 2p-L1-11 フィボナッチ超格子における励起電子の伝播(半導体,(表面・界面・超格子))
- 3a-G4-2 混合原子価白金錯体混晶の共鳴ラマン散乱(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 31p-BG-11 ZnS/ZeTe系超格子の積層状態(31p BG 表面・界面)
- 1a-A3-6 GaAs-AlAs超格子のX線による解析(31p A3 X線・粒子線,X線・粒子線)
- 29a-G-7 フィボナッチ超格子における励起状態の伝播(29aG 半導体(超格子))
- 29a-FC-7 AlAs-GaAs系の二重量子井戸のフォトルミネッセンス(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 30a-CF-12 GaAs/AlAs人工超格子の界面の歪み(30a CF X線・粒子線)
- 28a-G-8 Si/Ge超格子の表面敏感EXAFS(28aG 半導体(表面・界面・超格子))
- 30p-CQ-1 GaAs : Si/AlAs超格子のアンダーソン局在(低温)