30p-L-3 As_2Se_3/As_2S_8多層膜のフォトルミネッセンス

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1994-03-16

著者

• 山口 政晃

  物性研

• 森垣 和夫

  山口大工

• 山口 政晃

  東大物性研

• 山口 政晃

  東大工

• 村山 和郎

  日大文理

• 浜中 広見

  法大工

• 小長井 茂明

  法大工

関連論文

• 3p-RM-3 トンネル効果によるアモルファスSi_Au_xの超電導と電予局在の研究
• 13a-D-4 a-Si_Au_x:Hの金属絶縁体転移と超電導
• 27p-HE-10 アモルファスSi_Au_xの超電導
• 27p-HE-9 a-Si:Au系の磁気抵抗
• 29a-S-3 a-Si:Hにおける水素を近傍にもつダングリングボンドの構造
• 31p-F-2 aーSi:H/a-Si_3N_4:H超格子膜のESR
• 29p-B-4 a-Si_Au_x:HにおけるODMR,ESR,光誘起吸収
• 4a-D-1 a-Si_Au_x2:H薄膜の光学的性質
• 3a-A2-12 a-Si:Hのアニール効果
• 30p-A-9 多結晶シリコンの電子輸送現象
• 14pTJ-3 NaTl 型 Li 化合物の格子欠陥構造と異常抵抗(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
• 30a-F-15 アモルファスSi:Au系の金属・非金属転移
• 1p-L-2 アモルファスSiAuの低温における抵抗測定
• 27a-G-6 非晶質半導体の螢光に見られるホッピング型熱緩和
• 30a-A-19 a-As_2S_3及びa-Si:Hの時間分解ルミネッセンススペクトル
• 13p-DC-2 ポーラスSiのルミネッセンスの励起スペクトル
• 30p-Q-5 ポーラスSiのルミネッセンスの温度依存性
• 26a-ZG-10 ポーラスSiの可視蛍光と電子格子相互作用
• 31p-M-4 a-Si : Hの電子と正孔の分散型電気伝導とバンド端のゆらぎ
• 2a-F-14 アモルファス半導体のルミネッセンス寿命の分布関数
• 2p-J-8 不均一系 : a-Si_Au_x
• 30a-A-3 中性子照射したa-Si:Hの欠陥状態
• 4p-A-5 a-As_2S_3における光構造変化,蛍光の偏光特性III
• 1p-PS-1 a-As_2S_3における光構造変化、蛍光の偏光特性II
• 13a-E-15 a-As_2S_3における光構造変化、螢光の偏光特性
• 27a-SB-31 カルコゲナイドガラスの光構造変化と螢光
• 28p-I-11 PSPCシステムによる高分解能PIXE
• 26p-M-15 アモルファス半導体の蛍光減衰のパーコレーション・モデル
• 29a-YL-7 a-Si:Hにおける自己束縛励起子ルミネッセンス
• 3a-J-7 a-Si_N_x:Hバンド端変調構造膜におけるフォトルミネッセンスの温度依存性
• a-Si:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニールII
• 3a-J-6 a-Si:H, a-Si:DにおけるダングリングESRスペクトルの解析
• 2p-F-13 アモルファスSi-Au:H系の交流伝導とgranularity
• 31a-P-6 β-LiAlの格子欠陥構造とLi拡散機構
• 12a-T-9 銀ハライドの励起状態の光検波ESR III
• 5a-Q-13 銀ハライドの励起状態の光検波ESR,II
• 14p-Z-9 銀ハライドの励起状態のESR
• 30a-A-9 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(III)
• 2p-F-20 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(II)
• 5a-C-10 a-Si_N_X:H系バンド端変調構造膜の物性(II)
• 3a-A2-11 PDS法によるa-Si:H/a-Si_N_x:H超格子の界面欠陥
• 3a-A2-10 a-Si:H系バンド端変調構造膜の作製とその物性
• 27a-G-10 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の、時間分解ODMR
• 27a-G-9 1次元規則及び不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出電子スピン共鳴
• 27a-G-5 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の光熱偏向分光法による吸収スペクトル
• 27a-G-4 一次元規則および不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜のルミネッセンスとODMR
• 20aYJ-8 微結晶シリコンにおける異方的磁気中心
• Hyperfine Structure of Hydrogen Atoms in Hydrogenated Amorphous Silicon
• 27aC-3 a-Si:H系バンド端変調構造膜のESR
• Microwave Power Dependence of Deconvolution of Dangling Bond ESR Spectra in a-Si:H
• Temperature Dependence of Photoconductivity and Self-Trapping of Holes in a-Si:H
• 30p-L-3 As_2Se_3/As_2S_8多層膜のフォトルミネッセンス
• 25a-ZG-10 a-Si_N_x:Hにおける物性と水素量との相関
• 30a-W-8 a-Si:H系バンド端変調構造膜の光伝導
• 30a-W-2 As_2Se_3/As_2S_8非晶質多層膜の光学吸収特性
• 30a-W-1 微結晶-アモルファス混合相シリコン薄膜のルミネッセンス
• 26p-M-12 a-Si:Hにおける光誘起吸収と水素量との相関
• 26p-M-11 a-Si:H/a-Si_N_x:H超格子膜の界面欠陥
• 26p-M-7 アモルファス・シリコン系バンド端変調構造膜の光誘起吸収
• 26p-M-6 a-Si:HにおけるODENDORと水素量との相関
• 4a-D-6 a-Si:Hにおける水素量とUrbachエネルギーの関係
• 23p-H-6 F中心の緩和励起状態のESR II
• 29a-YL-2 ボロン系固体における分散型輸送
• 超格子膜,変調構造膜 (アモルファス半導体と新材料) -- (新材料)
• 光誘起現象 (アモルファス半導体と新材料) -- (アモルファスシリコンとその合金系)
• 2a-K-7 a-Si:Hとその合金系の光学キャップとUrbachエネルギーの関係
• 31p-B-13 ガラス及び結晶砒素カルコゲナイドの光検出ESR
• アモルファス半導体超格子膜の作製
• 4p-A-8 a-As_2S_3の光学的検出ESR(III)
• 1p-PS-2 a-As_2S_3の光学的検出ESR(II)
• 13a-E-16 a-As_2S_3の光学的検出ESR
• 31p-M-5 a-Si : Hにおける光誘起欠陥生成、アニール過程の分散モデル
• 30p-L-9 プラズマ気相合成によるsp^3カーボン膜のESR
• 3a-A2-14 a-Si:H/a-Si_3N_4:H超格子膜の時間分解ルミネッセンスの温度依存性
• 4a-C-4 Ge_Au_x系薄膜の超伝導
• 2p-F-17 a-Si:Hにおける変調光電流
• 1p-PS-19 a-Si_Fe_x,:Hにおけるホッピング伝導
• 2p-B-2 a-As_2S_3の螢光と易動度端
• アモルファス物質の緩和とフラクタル
• 2a-F-13 アモルファス半導体のルミネッセンス減衰とフラクタル
• 4p-A-7 アモルファス半導体ルミネッセンスの非指数関数的減衰
• 1p-PS-3 a-As_2S_3とc-As_2S_3のルミネッセンスおよびODESRの比較
• 13a-E-14 カルコゲナイドガラスのγ線照射効果
• 13a-E-3 a-GeSe_2の時間分解ルミネッセンス
• 27a-SB-29 カルコゲナイドガラスのホットルミネッセンス
• 5a-C-4 アモルファス半導体の分散型伝導のパーコレーション・モデル(II)
• T. V. Ramakrishnan and M. Raj Lakshmi, ed., Non-Debye Relaxation in Condensed Matter; Proceedings of a Discussion Meeting, Bangalore, 1986, World Scientific, Singapore and New Jersey, 1987, viii+402p., 22.5×16 cm, 10,560円 [専門書]
• 27a-G-8 カルコゲナイドガラスのホットルミネッセンス
• 5p-K-7 カルコゲナイドガラスの短寿命螢光
• 励起状態の光検波ESR
• 光ポンピングと光検波ESR
• 4a-L-3 KCl:F中心の励起状態のESR(II)
• 27a-LE-3 a-Si:H/a-Si_Nx:H超格子のODMR,光誘起吸収,ESR(半導体)
• 2p-L2-2 a-Si:H/a-Si3N4:Hの蛍光減衰と次元(半導体,(アモルファス))
• 2p-L2-5 a-Siのアニール効果 : ESR測定(半導体,(アモルファス))
• 1p-FC-2 多結晶シリコンの電子輸送現象(1p FC 半導体(アモルファス))
• 28p-H-2 a-Si_Au_x:H膜のルミネッセンス(28pH 半導体(アモルファス))
• 28p-H-3 a-Si:H系バンド端変調構造膜の物性(28pH 半導体(アモルファス))
• 28p-H-10 アモルファス半導体の分散型伝導のパーコレーション・モデル(28pH 半導体(アモルファス))
• 1a-D1-6 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク