14pTJ-3 NaTl 型 Li 化合物の格子欠陥構造と異常抵抗(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
須貝 宏行
日本原子力開発研究機構・先端基礎研究センター
-
須貝 宏行
原子力機構先端基礎セ
-
須貝 宏行
原研東海
-
橋本 恭能
青森大工
-
矢萩 正人
青森大工
-
浜中 廣美
法政工
-
栗山 一男
法政工
-
浜中 廣見
法政大学大学院
-
浜中 広見
法大工
-
浜中 廣見
法政工
関連論文
- 20pTC-6 MeVクラスターイオン誘起二次電子収量とクーロン爆発イメージの同時計測(20pTC 放射線物理(2次粒子放出・クラスタービーム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- Liイオンの振舞いを捉まえる:再加速短寿命核ビーム^8LiによるLi拡散実験(最近の研究から)
- ダイヤモンド-金属系の液相焼結
- カルシア系れんがにおけるマグネシア, ジルコニア添加の影響
- 31a-BA-1 金属間化合物LiAlの結晶成長
- 5a-M-11 Li-Al系β相内のX線解析
- 6p-P-1 金属間化合物LiInの室温における熱起電力
- 28pTA-5 2.0MeV/u Sイオンの薄膜透過後非平衡電荷分布の測定(28pTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20aZF-6 イオン照射したCeO2における高照射量領域での微細構造形成(20aZF 放射線物理(照射効果,損傷過程),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26pWD-12 高エネルギーイオンによるAlドープZnOの物性変化(26pWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20aZF-2 Cu_3N薄膜のイオン照射効果と相分離(20aZF 放射線物理(照射効果,損傷過程),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 19aYA-7 AlドープZnO薄膜の電気特性に対する高エネルギー重イオン照射効果(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 14pTJ-3 NaTl 型 Li 化合物の格子欠陥構造と異常抵抗(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 27aSA-11 DD 系ミュオン触媒核融合の凝縮系オルソハラ効果(軽イオン・エキゾチックアトム, 実験核物理)
- 金属間化合物β-LiAlの照射効果
- 27pRA-7 高速炭素クラスターイオン衝突による非晶質炭素薄膜からの二次電子放出(27pRA 放射線物理(クラスター・二次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aSA-10 理研-RAL ミュオン施設における DT 系ミュオン触媒核融合実験 : 磁場依存性測定 II(軽イオン・エキゾチックアトム, 実験核物理)
- 27aSA-9 ミュオン触媒 t-t 核融合率と ^3He へのミュオン移行率の温度依存性(軽イオン・エキゾチックアトム, 実験核物理)
- 29pZC-8 DD系ミュオン触媒核融合の凝縮系オルソパラ効果(対称性・基礎物理エキゾティクス・宇宙核物理)(実験核物理)
- 12pSF-9 ミュオン触媒 t-t 核融合における t+t 反応の n-α 粒子相関
- 10aSG-8 理研 -RAL ミュオン施設における DT 系ミュオン触媒核融合実験 : 磁場依存性測定
- 28pYG-6 微粒子中の照射損傷の観察
- 18aTG-10 微粒子中の欠陥集合
- 17aRF-8 光情報メモリー物質Eu_2O_3の光スペクトル
- 28pSG-5 理研-RALミュオン施設における t-tミュオン触媒核融合実験・核融合中性子エネルギー分布
- 28pSG-4 理研-RALミュオン施設におけるDT系ミュオン触媒核融合実験 : 非平衡効果
- 25pY-7 金微粒子の照射損傷(3)
- 31pSL-3 理研-RAL ミュオン施設におけるD-T系ミュオン触媒核融合実験;低温固体D-T系
- 30p-YH-1 理研-RALミュオン施設におけるDT系ミュオン触媒核融合 : 実験(12);ミュオン付着X線のKβ/Kα比の精密測定
- 3a-J-2 理研-RALミュオン施設におけるDT系ミュオン触媒核融合実験(11) : ミュオン付着率
- 3a-J-1 理研-RALミュオン施設におけるDT系ミュオン触媒核融合実験(10) : ヘリウム蓄積効果
- 31a-G-7 理研-RAL ミュオン施設における dt 系ミュオン触媒核融合実験(9);高トリチウム濃度 DT 標的
- 31a-G-6 理研-RAL ミュオン施設における dt 系ミュオン触媒核融合実験(8);純粋 T_2 標的
- ムライトの反応焼結における酸化チタン添加の影響
- 低温下で重イオン照射したシリコン半導体の電気抵抗率その場測定I
- 31p-D-1 ダイアモンド結晶の放射線照射効果のX線的研究II
- 重イオン照射用X線回折クライオスタットの開発(II)
- 28a-E-5 FCC金属中の欠陥集合体のX線散漫散乱
- 重イオン照射用X線回折クライオスタット
- FCC金属中の照射欠陥のX線散漫散乱
- 電子線照射InPの格子欠陥評価
- 23pRH-1 InドープZnOのイオン照射効果(23pRH 放射線物理(イオンビーム照射効果・阻止能),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 1a-LD-11 NaTl 型金属間化合物の弾性的性質
- 10a-E-2 NaTlのBridgman growth
- 30a-A-3 中性子照射したa-Si:Hの欠陥状態
- 28p-I-11 PSPCシステムによる高分解能PIXE
- 2p-YG-7 低温下でLiイオン照射したβ-LiAlの抵抗率その場測定(I)
- 31a-M-9 金属間化合物β-LiAl中のトリチウムの拡散と格子欠陥構造
- ムライトの焼結における酸化マグネシウム添加の影響
- 31a-P-6 β-LiAlの格子欠陥構造とLi拡散機構
- 28a-H-14 β-LiAlの電機抵抗率に対する格子欠陥の影響(III)
- 1a-M-6 LiAl中のLiイオンの高温における挙動 III
- 3p-C-5 LiAl中のLiイオンの高温における挙動
- 1p-KL-3 LiAlの高温における不可逆的電気抵抗
- MOD法による磁性ガーネット薄膜の作製と評価
- 2a-W-20 GD-a-Si:HとSP-a-Si:Hのプラズマ解析
- GaN中の黄色帯発光の電子線照射効果
- 中性子照射GaP中の欠陥構造に関係したLOフォノンの低波数側へのシフト
- 30aYA-6 LiGaにおけるリチウムイオン拡散II
- 22pRA-5 LiGaにおけるリチウムイオン拡散
- LiAlの電気的性質の中性子照射効果の研究(2) (一般共同研究・一般協力研究) -- (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
- 6a-S-1 β-LiGaの格子欠陥と比熱異常
- 中性子を照射したβ-LiAl中のLi原子空孔の規則-不規則変態
- 31a-M-6 β-LiGaの格子欠陥のLi濃度依存性
- 30a-ZN-1 β-LiAlの電気低効率に対する格子欠陥の影響(II)
- 3a-Z-8 LiAlの電気抵抗率に対する格子欠陥の影響
- 28p-K-11 中性子照射LiAlのトリチウムの放出挙動
- 5p-M-2 LiIn内Li格子点のVacancyの形成エネルギー
- 13a-E-18 カルコゲナイドガラスの光構造変化と圧力効果
- 28p-ZA-14 金微粒子の照射損傷(2)
- イオン交換によるグレーデッド形光導波路屈折率分布の測定
- イオン交換によるガラス光導波路の作製及び作製技術についての研究
- 10a-N-6 NaTl型金属間化合物LiInの電気抵抗の温度依存性
- 高速結晶分光 PIXE に用いる積層検出器システム
- 位置敏感式結晶分光器を用いたPIXE分光:大気中での化学状態分析への応用
- 結晶分光PIXE分析システムの安定性向上の検討
- レーザ変位計を用いた結晶分光PIXE用試料位置決め法の提案
- LiInSe2 単結晶の電気的・工学的性質
- LiInS2の単結晶育成とフォトルミネッセンス特性
- 高濃度Cイオン注入GaAsの中のC不純物に関する研究
- アルミニウム化合物のPIXE分析(2)
- GaPへのNイオン注入によるGaN相の形成
- LiAlの電気的性質の中性子照射効果の研究3 (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
- 20aTG-5 β-LiInの電気抵抗率の熱処理効果
- Li2AlIn化合物の構造解析
- 11p-K-2 LiAlの中性子回折
- RBS/PIXE法によるInド-プGaAs中の格子ひずみの評価
- 中性子照射GaN中の格子変位に関する研究--核反応分析法およびラザフォード後方散乱法による評価
- イオン散乱およびラマン散乱法による中性子転換注入GaN中の格子変位と残留応力について
- 27aB05 擬AlN様Li_3AlN_2の合成と物性評価(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 25aM-12 LiGaにおける^7Liの核磁気緩和
- 髪の毛サイズの超微細リチウム電池の開発とそのマテリアルの性質 (特集 注目の材料 大容量化,安全性向上など 「リチウムイオン電池」の最新マテリアル事情)
- 金属間化合物β-LiAlの単結晶育成 : ひげ結晶と金属
- LiInS_2とLiInSe_2の単結晶育成と電気的・光学的性質 : II-VI化合物半導体
- 27a-U-7 金属間化合物LiAl, LiZnの電気的性質
- Ultrasonic法によるLiIn単結晶の弾性定数の測定
- LiAlの中性子線回折による結晶構造解析
- 14aRJ-2 理研-RALミュオン施設におけるDT系ミュオン触媒核融合実験 : 非平衡分子組成効果(μCF/基礎物理/ニュートリノ,実験核物理)
- 25pWG-7 LiGaにおけるリチウムイオン拡散 III(25pWG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性分野))
- 14aRJ-1 理研-RALミュオン施設におけるD-T系ミュオン触媒核融合実験: : 固体での温度依存性(μCF/基礎物理/ニュートリノ,実験核物理)