1a-M-6 LiAl中のLiイオンの高温における挙動 III
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1985-09-13
著者
関連論文
- 31a-BA-1 金属間化合物LiAlの結晶成長
- 5a-M-11 Li-Al系β相内のX線解析
- 6p-P-1 金属間化合物LiInの室温における熱起電力
- 14pTJ-3 NaTl 型 Li 化合物の格子欠陥構造と異常抵抗(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 電子線照射InPの格子欠陥評価
- 28p-X-6 中性子照射GaPの照射欠陥のイオンチャネリングによる評価
- 27a-M-5 Feドープ半絶縁性InPの熱刺激電流法による電子線照射欠陥の評価
- 1a-LD-11 NaTl 型金属間化合物の弾性的性質
- 10a-E-2 NaTlのBridgman growth
- 30a-A-3 中性子照射したa-Si:Hの欠陥状態
- 28p-I-11 PSPCシステムによる高分解能PIXE
- 2p-YG-7 低温下でLiイオン照射したβ-LiAlの抵抗率その場測定(I)
- 2p-B-1 As_2S_3ガラスの高密度化と光構造変化
- 31a-P-6 β-LiAlの格子欠陥構造とLi拡散機構
- 28a-H-14 β-LiAlの電機抵抗率に対する格子欠陥の影響(III)
- 1a-M-6 LiAl中のLiイオンの高温における挙動 III
- 3p-C-5 LiAl中のLiイオンの高温における挙動
- 1p-KL-3 LiAlの高温における不可逆的電気抵抗
- MOD法による磁性ガーネット薄膜の作製と評価
- GaN中の黄色帯発光の電子線照射効果
- 中性子照射GaP中の欠陥構造に関係したLOフォノンの低波数側へのシフト
- 30aYA-6 LiGaにおけるリチウムイオン拡散II
- 22pRA-5 LiGaにおけるリチウムイオン拡散
- LiAlの電気的性質の中性子照射効果の研究(2) (一般共同研究・一般協力研究) -- (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
- 6a-S-1 β-LiGaの格子欠陥と比熱異常
- 中性子を照射したβ-LiAl中のLi原子空孔の規則-不規則変態
- 31a-M-6 β-LiGaの格子欠陥のLi濃度依存性
- 30a-ZN-1 β-LiAlの電気低効率に対する格子欠陥の影響(II)
- 3a-Z-8 LiAlの電気抵抗率に対する格子欠陥の影響
- 28p-K-11 中性子照射LiAlのトリチウムの放出挙動
- 5p-M-2 LiIn内Li格子点のVacancyの形成エネルギー
- 13a-E-18 カルコゲナイドガラスの光構造変化と圧力効果
- イオン交換によるグレーデッド形光導波路屈折率分布の測定
- イオン交換によるガラス光導波路の作製及び作製技術についての研究
- 10a-N-6 NaTl型金属間化合物LiInの電気抵抗の温度依存性
- LiInSe2 単結晶の電気的・工学的性質
- LiInS2の単結晶育成とフォトルミネッセンス特性
- 高濃度Cイオン注入GaAsの中のC不純物に関する研究
- GaPへのNイオン注入によるGaN相の形成
- LiAlの電気的性質の中性子照射効果の研究3 (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
- 20aTG-5 β-LiInの電気抵抗率の熱処理効果
- Li2AlIn化合物の構造解析
- 11p-K-2 LiAlの中性子回折
- RBS/PIXE法によるInド-プGaAs中の格子ひずみの評価
- 中性子照射GaN中の格子変位に関する研究--核反応分析法およびラザフォード後方散乱法による評価
- イオン散乱およびラマン散乱法による中性子転換注入GaN中の格子変位と残留応力について
- 27aB05 擬AlN様Li_3AlN_2の合成と物性評価(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 25aM-12 LiGaにおける^7Liの核磁気緩和
- 髪の毛サイズの超微細リチウム電池の開発とそのマテリアルの性質 (特集 注目の材料 大容量化,安全性向上など 「リチウムイオン電池」の最新マテリアル事情)
- 金属間化合物β-LiAlの単結晶育成 : ひげ結晶と金属
- LiInS_2とLiInSe_2の単結晶育成と電気的・光学的性質 : II-VI化合物半導体
- 27a-U-7 金属間化合物LiAl, LiZnの電気的性質
- Ultrasonic法によるLiIn単結晶の弾性定数の測定
- LiAlの中性子線回折による結晶構造解析
- 25pWG-7 LiGaにおけるリチウムイオン拡散 III(25pWG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性分野))
- 1a-FA-4 LiAlの電気抵抗率の中性子照射効果(1a FA 格子欠陥)
- 1a-D1-1 中性子照射a-S_i:HのPA及びODMR(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)