低温下で重イオン照射したシリコン半導体の電気抵抗率その場測定I

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1996-09-13

著者

• 前田 裕司

  広島国際大

• 前田 祐司

  広島国際学院大

• 前田 裕司

  原研東海

• 須貝 宏行

  原子力機構先端基礎セ

• 須貝 宏行

  原研東海

• 小野 文久

  岡山大理

• 大塚 英男

  原研

• 小野 文久

  岡大院自然

• 春名 勝次

  玉川大工

• 大塚 英男

  原研核融合

• 大塚 英男

  原研東海

• 松本 徳真

  原研東海

• 松本 徳真

  日本原子力研究所関西研究所放射光利用研究部

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