励起状態の光検波ESR
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
27a-G-6 非晶質半導体の螢光に見られるホッピング型熱緩和
-
30a-A-19 a-As_2S_3及びa-Si:Hの時間分解ルミネッセンススペクトル
-
13p-DC-2 ポーラスSiのルミネッセンスの励起スペクトル
-
30p-Q-5 ポーラスSiのルミネッセンスの温度依存性
-
26a-ZG-10 ポーラスSiの可視蛍光と電子格子相互作用
-
31p-M-4 a-Si : Hの電子と正孔の分散型電気伝導とバンド端のゆらぎ
-
2a-F-14 アモルファス半導体のルミネッセンス寿命の分布関数
-
4p-A-5 a-As_2S_3における光構造変化,蛍光の偏光特性III
-
1p-PS-1 a-As_2S_3における光構造変化、蛍光の偏光特性II
-
13a-E-15 a-As_2S_3における光構造変化、螢光の偏光特性
-
27a-SB-31 カルコゲナイドガラスの光構造変化と螢光
-
26p-M-15 アモルファス半導体の蛍光減衰のパーコレーション・モデル
-
12a-T-9 銀ハライドの励起状態の光検波ESR III
-
5a-Q-13 銀ハライドの励起状態の光検波ESR,II
-
14p-Z-9 銀ハライドの励起状態のESR
-
30p-L-3 As_2Se_3/As_2S_8多層膜のフォトルミネッセンス
-
23p-H-6 F中心の緩和励起状態のESR II
-
29a-YL-2 ボロン系固体における分散型輸送
-
31p-B-13 ガラス及び結晶砒素カルコゲナイドの光検出ESR
-
4p-A-8 a-As_2S_3の光学的検出ESR(III)
-
1p-PS-2 a-As_2S_3の光学的検出ESR(II)
-
13a-E-16 a-As_2S_3の光学的検出ESR
-
2p-B-2 a-As_2S_3の螢光と易動度端
-
アモルファス物質の緩和とフラクタル
-
2a-F-13 アモルファス半導体のルミネッセンス減衰とフラクタル
-
4p-A-7 アモルファス半導体ルミネッセンスの非指数関数的減衰
-
1p-PS-3 a-As_2S_3とc-As_2S_3のルミネッセンスおよびODESRの比較
-
13a-E-14 カルコゲナイドガラスのγ線照射効果
-
13a-E-3 a-GeSe_2の時間分解ルミネッセンス
-
27a-SB-29 カルコゲナイドガラスのホットルミネッセンス
-
5a-C-4 アモルファス半導体の分散型伝導のパーコレーション・モデル(II)
-
T. V. Ramakrishnan and M. Raj Lakshmi, ed., Non-Debye Relaxation in Condensed Matter; Proceedings of a Discussion Meeting, Bangalore, 1986, World Scientific, Singapore and New Jersey, 1987, viii+402p., 22.5×16 cm, 10,560円 [専門書]
-
27a-G-8 カルコゲナイドガラスのホットルミネッセンス
-
5p-K-7 カルコゲナイドガラスの短寿命螢光
-
励起状態の光検波ESR
-
光ポンピングと光検波ESR
-
4a-L-3 KCl:F中心の励起状態のESR(II)
-
2p-L2-2 a-Si:H/a-Si3N4:Hの蛍光減衰と次元(半導体,(アモルファス))
-
28p-H-10 アモルファス半導体の分散型伝導のパーコレーション・モデル(28pH 半導体(アモルファス))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク