山口 政晃 | 東大工

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著作論文

• 3p-RM-3 トンネル効果によるアモルファスSi_Au_xの超電導と電予局在の研究
• 29a-S-3 a-Si:Hにおける水素を近傍にもつダングリングボンドの構造
• 31p-F-2 aーSi:H/a-Si_3N_4:H超格子膜のESR
• 29p-B-4 a-Si_Au_x:HにおけるODMR,ESR,光誘起吸収
• 4a-D-1 a-Si_Au_x2:H薄膜の光学的性質
• 3a-A2-12 a-Si:Hのアニール効果
• 30p-A-9 多結晶シリコンの電子輸送現象
• 2p-J-8 不均一系 : a-Si_Au_x
• a-Si:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニールII
• 2p-F-13 アモルファスSi-Au:H系の交流伝導とgranularity
• 30a-A-9 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(III)
• 2p-F-20 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(II)
• 5a-C-10 a-Si_N_X:H系バンド端変調構造膜の物性(II)
• 3a-A2-11 PDS法によるa-Si:H/a-Si_N_x:H超格子の界面欠陥
• 3a-A2-10 a-Si:H系バンド端変調構造膜の作製とその物性
• 27a-G-10 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の、時間分解ODMR
• 27a-G-9 1次元規則及び不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出電子スピン共鳴
• 27a-G-5 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の光熱偏向分光法による吸収スペクトル
• 27a-G-4 一次元規則および不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜のルミネッセンスとODMR
• 20aYJ-8 微結晶シリコンにおける異方的磁気中心
• Hyperfine Structure of Hydrogen Atoms in Hydrogenated Amorphous Silicon
• 27aC-3 a-Si:H系バンド端変調構造膜のESR
• Microwave Power Dependence of Deconvolution of Dangling Bond ESR Spectra in a-Si:H
• Temperature Dependence of Photoconductivity and Self-Trapping of Holes in a-Si:H
• 30p-L-3 As_2Se_3/As_2S_8多層膜のフォトルミネッセンス
• 25a-ZG-10 a-Si_N_x:Hにおける物性と水素量との相関
• 30a-W-8 a-Si:H系バンド端変調構造膜の光伝導
• 30a-W-2 As_2Se_3/As_2S_8非晶質多層膜の光学吸収特性
• 30a-W-1 微結晶-アモルファス混合相シリコン薄膜のルミネッセンス
• 26p-M-12 a-Si:Hにおける光誘起吸収と水素量との相関
• 26p-M-11 a-Si:H/a-Si_N_x:H超格子膜の界面欠陥
• 26p-M-7 アモルファス・シリコン系バンド端変調構造膜の光誘起吸収
• 26p-M-6 a-Si:HにおけるODENDORと水素量との相関
• 4a-D-6 a-Si:Hにおける水素量とUrbachエネルギーの関係
• 2a-K-7 a-Si:Hとその合金系の光学キャップとUrbachエネルギーの関係
• アモルファス半導体超格子膜の作製
• 3a-A2-14 a-Si:H/a-Si_3N_4:H超格子膜の時間分解ルミネッセンスの温度依存性
• 4a-C-4 Ge_Au_x系薄膜の超伝導
• 2p-F-17 a-Si:Hにおける変調光電流
• 1p-PS-19 a-Si_Fe_x,:Hにおけるホッピング伝導

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