荻原 千聡 | 山口大工
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概要
関連著者
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荻原 千聡
山口大工
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森垣 和夫
広島工大
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竹村 仁志
山口大工
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荻原 千聡
山口大学工学部
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吉村 泰一
山口大工
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吉田 寿
山口大工
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池田 一人
山口大工
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山本 尚史
山口大工
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原田 潤一
山口大工
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于 暁
山口大工
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中西 研二
山口大工
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野見山 智宏
山口大工
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中村 健二
山口大工
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瀬戸 康彰
山口大工
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相原 克司
山口大工
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清見 佳昭
山口大工
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山尾 正之
山口大工
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山口 政晃
物性研
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森垣 和夫
山口大工
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山口 政晃
東大工
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瀬戸 康影
山口大工
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森垣 和夫
広島大工
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奥川 政裕
山口大工
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木下 忠士
山口大学工学部
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石村 裕昭
山口大工
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木下 忠士
山口大工
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森垣 和失
広島工大
著作論文
- 20aYJ-9 a-Si:H膜におけるパルス光照射による光誘起欠陥生成とフォトルミネッセンス
- 28pTC-3 a-Si:H 系膜におけるサブバンドギャップパルス光照射に伴うダングリングボンド生成
- 28pTC-2 a-si:H系薄膜における光照射による発光寿命分布の変化
- 25aSA-12 a-si:H系薄膜におけるサブバンドギャップ光照射後の発光寿命分布
- 25pL-3 a-Si:H系薄膜における光誘起構造変化による発光寿命分布の変化
- 27aC-4 a-Si:H系薄膜における光照射後のフォトルミネセンスの寿命分布
- 29p-ZF-1 ナノ構造a-Si:H系薄膜における発光寿命分布の励起光波長依存性
- 25a-YE-2 パルスレーザーを用いた a-Si:H系膜における発光の寿命分布の測定
- 31p-YJ-7 ナノ構造a-Si_N_x:H系膜におけるルミネッセンス減衰と励起子
- 5a-A-6 a-Si:H系超格子膜およびバンド端変調構造膜の発光寿命の測定
- 29a-S-2 ナノ構造をもつa-Si_N_x:H系膜における電子, 正孔再結合過程
- a-Si_N_x:H系膜のフォトルミネッセンスのFRSと電子正孔再結合過程
- 31p-F-3 aーSi:H/aーSi_3N_4:H超格子膜におけるフォトルミネッセンスの寿命分布
- 29p-X-3 a-Si:H系膜におけるフォトルミネッセンスの寿命分布
- 3a-J-7 a-Si_N_x:Hバンド端変調構造膜におけるフォトルミネッセンスの温度依存性
- 27aXC-5 a-Si:Hにおける発光欠陥に関連したフォトルミネッセンスと光誘起現象(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aYT-7 a-Si:H膜における低エネルギールミネッセンスの強度の温度変化と欠陥密度(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12aYB-3 a-Si : H 膜のルミネッセンスの温度変化と光誘起欠陥生成(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 27aYG-5 a-Si:H膜の低エネルギールミネセンスの温度変化(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
- 23aXJ-2 a-Si:Hにおけるフォトルミネッセンス寿命のスペクトル依存性(II)(23aXJ 光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aXJ-1 a-Si:Hにおけるフォトルミネッセンス寿命のスペクトル依存性(I)(23aXJ 光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aYT-8 a-Si:H膜における低エネルギールミネッセンスの寿命分布と欠陥密度(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 27aC-3 a-Si:H系バンド端変調構造膜のESR
- 22pTL-1 a-Si : H 膜における光誘起欠陥生成と低エネルギールミネッセンス
- 29aZK-4 a-Si : H 系膜における低エネルギールミネッセンスの周波数分解分光
- 6pSB-9 a-Si:H系膜における光誘起欠陥生成と低エネルギールミネッセンスの寿命分解測定(II)(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)
- 25pWE-7 a-Si:H系膜における光誘起欠陥生成と低エネルギールミネッセンスの寿命分解測定(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))