27aC-4 a-Si:H系薄膜における光照射後のフォトルミネセンスの寿命分布

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1999-09-03

著者

• 森垣 和夫

  広島工大

• 竹村 仁志

  山口大工

• 荻原 千聡

  山口大工

• 相原 克司

  山口大工

• 森垣 和夫

  広島大工

関連論文

• 29a-S-3 a-Si:Hにおける水素を近傍にもつダングリングボンドの構造
• 31p-F-2 aーSi:H/a-Si_3N_4:H超格子膜のESR
• 29a-S-1 a-Si:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニールIII
• 31p-F-1 aーSi:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニール
• 20aYJ-9 a-Si:H膜におけるパルス光照射による光誘起欠陥生成とフォトルミネッセンス
• 28pTC-3 a-Si:H 系膜におけるサブバンドギャップパルス光照射に伴うダングリングボンド生成
• 28pTC-2 a-si:H系薄膜における光照射による発光寿命分布の変化
• 25aSA-12 a-si:H系薄膜におけるサブバンドギャップ光照射後の発光寿命分布
• 25pL-3 a-Si:H系薄膜における光誘起構造変化による発光寿命分布の変化
• 27aC-4 a-Si:H系薄膜における光照射後のフォトルミネセンスの寿命分布
• 29p-ZF-1 ナノ構造a-Si:H系薄膜における発光寿命分布の励起光波長依存性
• 25a-YE-2 パルスレーザーを用いた a-Si:H系膜における発光の寿命分布の測定
• 31p-YJ-8 a-Si:Hにおける光伝導度温度依存性に対する自己束縛正孔モデル
• 31p-YJ-7 ナノ構造a-Si_N_x:H系膜におけるルミネッセンス減衰と励起子
• 30a-D-11 ネットワーク分散・オブジェクト指向オンライン環境KONOEにおける Graphical User Interface の開発
• 5a-A-7 a-Si;Hの光誘起現象における水素に関係した弱いSi-Siボンドとダングリングボンドの役割
• 5a-A-6 a-Si:H系超格子膜およびバンド端変調構造膜の発光寿命の測定
• 29a-S-2 ナノ構造をもつa-Si_N_x:H系膜における電子, 正孔再結合過程
• a-Si_N_x:H系膜のフォトルミネッセンスのFRSと電子正孔再結合過程
• 31p-F-3 aーSi:H/aーSi_3N_4:H超格子膜におけるフォトルミネッセンスの寿命分布
• 29p-X-3 a-Si:H系膜におけるフォトルミネッセンスの寿命分布
• 29a-YL-8 a-Si_N_x:H バンド端変調構造膜のフォトルミネッセンスの周波数分解スペクトル
• 29a-YL-7 a-Si:Hにおける自己束縛励起子ルミネッセンス
• 3a-J-7 a-Si_N_x:Hバンド端変調構造膜におけるフォトルミネッセンスの温度依存性
• a-Si:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニールII
• 27aXC-5 a-Si:Hにおける発光欠陥に関連したフォトルミネッセンスと光誘起現象(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aYT-7 a-Si:H膜における低エネルギールミネッセンスの強度の温度変化と欠陥密度(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 12aYB-3 a-Si : H 膜のルミネッセンスの温度変化と光誘起欠陥生成(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
• 27aYG-5 a-Si:H膜の低エネルギールミネセンスの温度変化(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
• 23aXJ-2 a-Si:Hにおけるフォトルミネッセンス寿命のスペクトル依存性(II)(23aXJ 光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aXJ-1 a-Si:Hにおけるフォトルミネッセンス寿命のスペクトル依存性(I)(23aXJ 光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aYT-8 a-Si:H膜における低エネルギールミネッセンスの寿命分布と欠陥密度(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 20aYJ-8 微結晶シリコンにおける異方的磁気中心
• 27aC-3 a-Si:H系バンド端変調構造膜のESR
• a-Si:Hにおける光誘起現象と水素
• 28pTC-1 a-SI:Hにおける強光励起下での光誘起欠陥生成
• 25pL-4 a-Si:Hにおける光誘起欠陥生成の光励起強度依存性
• 29p-ZF-3 a-Si:Hにおける光誘起欠陥生成のrate equation
• 29p-ZF-2 a-Si:Hにおける光誘起欠陥生成モデル
• 22pTL-1 a-Si : H 膜における光誘起欠陥生成と低エネルギールミネッセンス
• 29aZK-4 a-Si : H 系膜における低エネルギールミネッセンスの周波数分解分光
• 6pSB-9 a-Si:H系膜における光誘起欠陥生成と低エネルギールミネッセンスの寿命分解測定(II)(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)
• 25pWE-7 a-Si:H系膜における光誘起欠陥生成と低エネルギールミネッセンスの寿命分解測定(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク