27aYT-7 a-Si:H膜における低エネルギールミネッセンスの強度の温度変化と欠陥密度(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2005-03-04

著者

• 中村 健二

  山口大工

• 山本 尚史

  山口大工

• 荻原 千聡

  山口大工

• 荻原 千聡

  山口大学工学部

• 中西 研二

  山口大工

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