アモルファス・シリコン系材料の周波数分解分光ルミネッセンス

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• アグネ技術センタ-の論文

著者

• 荻原 千聡

  山口大学工学部

関連論文

• 5a-A-6 a-Si:H系超格子膜およびバンド端変調構造膜の発光寿命の測定
• 29a-YL-8 a-Si_N_x:H バンド端変調構造膜のフォトルミネッセンスの周波数分解スペクトル
• 27aXC-5 a-Si:Hにおける発光欠陥に関連したフォトルミネッセンスと光誘起現象(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aYT-7 a-Si:H膜における低エネルギールミネッセンスの強度の温度変化と欠陥密度(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 12aYB-3 a-Si : H 膜のルミネッセンスの温度変化と光誘起欠陥生成(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
• 27aYG-5 a-Si:H膜の低エネルギールミネセンスの温度変化(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
• 23aXJ-2 a-Si:Hにおけるフォトルミネッセンス寿命のスペクトル依存性(II)(23aXJ 光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aXJ-1 a-Si:Hにおけるフォトルミネッセンス寿命のスペクトル依存性(I)(23aXJ 光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aYT-8 a-Si:H膜における低エネルギールミネッセンスの寿命分布と欠陥密度(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 水素化アモルファスシリコンにおけるルミネッセンスと光誘起欠陥生成
• 26pWH-9 a-Si:Hにおける電子正孔の輻射再結合率の温度変化(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pTL-1 a-Si : H 膜における光誘起欠陥生成と低エネルギールミネッセンス
• 29aZK-4 a-Si : H 系膜における低エネルギールミネッセンスの周波数分解分光
• フォトルミネッセンスの寿命分解測定 (アモルファス半導体と関連物質--乱れた系、アモルファス半導体、微結晶半導体 特集号) -- (2.アモルファスシリコン系)
• アモルファス・シリコン系材料の周波数分解分光ルミネッセンス
• 会議だより 第21回アモルファス・微結晶半導体国際会議報告
• 会議だより 第20回アモルファス・微結晶半導体国際会議報告
• 会議だより 第24回アモルファス・ナノ結晶半導体国際会議報告
• 会議だより 第5回光学,光エレクトロニクス,フォトニック材料と応用国際会議
• グラスゴ-滞在記

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク