26pWH-9 a-Si:Hにおける電子正孔の輻射再結合率の温度変化(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-02-29

著者

• 荻原 千聡

  山口大学工学部

• 干 暁

  山口大学工学部

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