20aYJ-8 微結晶シリコンにおける異方的磁気中心
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2001-09-03
著者
関連論文
- 3p-RM-3 トンネル効果によるアモルファスSi_Au_xの超電導と電予局在の研究
- 13a-D-4 a-Si_Au_x:Hの金属絶縁体転移と超電導
- 27p-HE-10 アモルファスSi_Au_xの超電導
- 27p-HE-9 a-Si:Au系の磁気抵抗
- 29a-S-3 a-Si:Hにおける水素を近傍にもつダングリングボンドの構造
- 31p-F-2 aーSi:H/a-Si_3N_4:H超格子膜のESR
- 29p-B-4 a-Si_Au_x:HにおけるODMR,ESR,光誘起吸収
- 4a-D-1 a-Si_Au_x2:H薄膜の光学的性質
- 3a-A2-12 a-Si:Hのアニール効果
- 30p-A-9 多結晶シリコンの電子輸送現象
- 29a-S-1 a-Si:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニールIII
- 2p-J-8 不均一系 : a-Si_Au_x
- 31p-F-1 aーSi:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニール
- 20aYJ-9 a-Si:H膜におけるパルス光照射による光誘起欠陥生成とフォトルミネッセンス
- 28pTC-3 a-Si:H 系膜におけるサブバンドギャップパルス光照射に伴うダングリングボンド生成
- 28pTC-2 a-si:H系薄膜における光照射による発光寿命分布の変化
- 25aSA-12 a-si:H系薄膜におけるサブバンドギャップ光照射後の発光寿命分布
- 25pL-3 a-Si:H系薄膜における光誘起構造変化による発光寿命分布の変化
- 27aC-4 a-Si:H系薄膜における光照射後のフォトルミネセンスの寿命分布
- 29p-ZF-1 ナノ構造a-Si:H系薄膜における発光寿命分布の励起光波長依存性
- 25a-YE-2 パルスレーザーを用いた a-Si:H系膜における発光の寿命分布の測定
- 31p-YJ-8 a-Si:Hにおける光伝導度温度依存性に対する自己束縛正孔モデル
- 31p-YJ-7 ナノ構造a-Si_N_x:H系膜におけるルミネッセンス減衰と励起子
- 30a-D-11 ネットワーク分散・オブジェクト指向オンライン環境KONOEにおける Graphical User Interface の開発
- 5a-A-7 a-Si;Hの光誘起現象における水素に関係した弱いSi-Siボンドとダングリングボンドの役割
- 5a-A-6 a-Si:H系超格子膜およびバンド端変調構造膜の発光寿命の測定
- 29a-S-2 ナノ構造をもつa-Si_N_x:H系膜における電子, 正孔再結合過程
- a-Si_N_x:H系膜のフォトルミネッセンスのFRSと電子正孔再結合過程
- 31p-F-3 aーSi:H/aーSi_3N_4:H超格子膜におけるフォトルミネッセンスの寿命分布
- 29p-X-3 a-Si:H系膜におけるフォトルミネッセンスの寿命分布
- 29a-YL-8 a-Si_N_x:H バンド端変調構造膜のフォトルミネッセンスの周波数分解スペクトル
- 29a-YL-7 a-Si:Hにおける自己束縛励起子ルミネッセンス
- 3a-J-7 a-Si_N_x:Hバンド端変調構造膜におけるフォトルミネッセンスの温度依存性
- a-Si:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニールII
- 2p-F-13 アモルファスSi-Au:H系の交流伝導とgranularity
- 30a-A-9 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(III)
- 2p-F-20 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(II)
- 5a-C-10 a-Si_N_X:H系バンド端変調構造膜の物性(II)
- 3a-A2-11 PDS法によるa-Si:H/a-Si_N_x:H超格子の界面欠陥
- 3a-A2-10 a-Si:H系バンド端変調構造膜の作製とその物性
- 27a-G-10 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の、時間分解ODMR
- 27a-G-9 1次元規則及び不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜の光誘起吸収と光誘起吸収検出電子スピン共鳴
- 27a-G-5 a-Si:H/a-Si_N_x:H 超格子膜の光熱偏向分光法による吸収スペクトル
- 27a-G-4 一次元規則および不規則a-Si:H/a-Si_N_x:H 多層膜のルミネッセンスとODMR
- 20aYJ-8 微結晶シリコンにおける異方的磁気中心
- Hyperfine Structure of Hydrogen Atoms in Hydrogenated Amorphous Silicon
- 27aC-3 a-Si:H系バンド端変調構造膜のESR
- Microwave Power Dependence of Deconvolution of Dangling Bond ESR Spectra in a-Si:H
- Temperature Dependence of Photoconductivity and Self-Trapping of Holes in a-Si:H
- 30p-L-3 As_2Se_3/As_2S_8多層膜のフォトルミネッセンス
- 25a-ZG-10 a-Si_N_x:Hにおける物性と水素量との相関
- 30a-W-8 a-Si:H系バンド端変調構造膜の光伝導
- 30a-W-2 As_2Se_3/As_2S_8非晶質多層膜の光学吸収特性
- 30a-W-1 微結晶-アモルファス混合相シリコン薄膜のルミネッセンス
- 26p-M-12 a-Si:Hにおける光誘起吸収と水素量との相関
- 26p-M-11 a-Si:H/a-Si_N_x:H超格子膜の界面欠陥
- 26p-M-7 アモルファス・シリコン系バンド端変調構造膜の光誘起吸収
- 26p-M-6 a-Si:HにおけるODENDORと水素量との相関
- 4a-D-6 a-Si:Hにおける水素量とUrbachエネルギーの関係
- a-Si:Hにおける光誘起現象と水素
- 28pTC-1 a-SI:Hにおける強光励起下での光誘起欠陥生成
- 25pL-4 a-Si:Hにおける光誘起欠陥生成の光励起強度依存性
- 29p-ZF-3 a-Si:Hにおける光誘起欠陥生成のrate equation
- 29p-ZF-2 a-Si:Hにおける光誘起欠陥生成モデル
- 2a-K-7 a-Si:Hとその合金系の光学キャップとUrbachエネルギーの関係
- アモルファス半導体超格子膜の作製
- 3a-A2-14 a-Si:H/a-Si_3N_4:H超格子膜の時間分解ルミネッセンスの温度依存性
- 4a-C-4 Ge_Au_x系薄膜の超伝導
- 2p-F-17 a-Si:Hにおける変調光電流
- 1p-PS-19 a-Si_Fe_x,:Hにおけるホッピング伝導
- 27a-LE-3 a-Si:H/a-Si_Nx:H超格子のODMR,光誘起吸収,ESR(半導体)
- 1a-D1-6 a-Si_N_x:HにおけるODMRと光誘起効果(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)