伊藤 利道 | 阪大工
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概要
関連著者
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伊藤 利道
阪大工
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平木 昭夫
阪大工
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岩見 基弘
阪大工
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奥野 和彦
阪大工
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成沢 忠
ニューヨーク州立大
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Gibson W.m.
ニューヨーク州立大
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八百 隆文
電総研
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伊藤 利道
大阪大 大学院工学研究科
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片岡 佳英
阪大工
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Gibson W.
ニューヨーク州立大
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田口 常正
阪大工
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大山 忠司
阪大教養
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大坂 之雄
広大工
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森垣 和夫
山口大工
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森 勇介
阪大工
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八百 隆文
広島大工
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亀井 聡一郎
阪大工
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奥野 和彦
SUNY-Albany
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成沢 忠
SUNY-Albany
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Gibson W.
SUNY-Albany
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成沢 忠
阪大工
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大塚 穎三
阪大教養
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西谷 輝
松下中研
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西谷 輝
阪大教養
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中田 博保
阪大教養
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川辺 和夫
阪大工
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井村 健
広大工
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安松 建郎
阪大工
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加藤 剛久
大阪大 工
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八木 弘雅
阪大工
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八田 章
阪大工
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武田 俊彦
電総研
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西林 良樹
広大工
著作論文
- 2p-NM-3 ELS法によるPol-Si(111)界面形成の初期過程の観察
- 31p-J-5 Si清浄表面上での金属薄膜(シリサイド薄膜)形成過程と低温界面反応
- 28a-E-10 AESによるNi-sililcide/Si界面の解析とその特性
- 29p-U-3 Si清浄表面への金属膜の形成過程と低温界面反応(II) : 高速イオンチャネリング
- 29p-U-2 Si清浄表面への金属膜の形成過程と低温界面反応(I) : ELζによる観測
- 3a-F-11 ZnS-ZnTe超格子の電子分光
- 3a-E-11 MeVイオン散乱法の精密測定II
- 3a-E-10 MeVイオン散乱法の精密測定I
- 6a-K-6 Cd_Zn_xAs_2における不純物伝導
- 1p-A-8 Si(111)上に吸着したPd原子位置のチャンネリング法による決定
- 陽極化成法による多孔質シリコン
- 31a-Y-3 多孔質Si:Hの赤外吸収とフォトルミネッセンス
- 30p-L-9 プラズマ気相合成によるsp^3カーボン膜のESR
- 31p-BG-11 ZnS/ZeTe系超格子の積層状態(31p BG 表面・界面)