狭バンドギャップa-Si:H/a-Ge:H極薄多層膜の光学的及び電気的特性の評価

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概要

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水素化アモルファスシリコン(a-Si:H,50Å), a-Ge:H(10〜50Å)極薄多層膜の光学的、電気的特性をa-Ge:H井戸層幅を変化させて評価した。井戸幅の減少に伴い、光学吸収端及びフォトルミネッセンススペクトルのブルーシフトと発光強度の増大が観測され、a-Ge:H井戸層における量子サイズ効果の存在が示唆された。また、サブバンドの形成による暗伝導度の減少及び活性化エネルギの増大が観測された。井戸幅10Åの場合に光学バンドギャップ〜1.4eV、光伝導度〜1.4×10^-5>S/cm、光電感度〜1.4×10^5の材料が得られた。このことから、多層膜化によりa-SiGe:Hアロイよりも優れた光伝導度及び暗伝導度を持つ狭バンドギャップ半導体材料が作製できることを示した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-12-09

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