Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
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概要
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DiH_4の減圧CVD法を用いたSi量子ドットの形成と、リモートプラズマよるドット表面酸化及び表面処理を繰り返すことによりSi量子ドット多重集積構造を作成した。ドット形成時にB_2H_6をパルス添加することで行い、不純物添加Si量子ドット6層積層構造を作製し、ドット内へのB添加が発光特性に及ぼす影響を調べた。比較試料として、真性およびP添加Si量子ドット積層構造も作成した。Si量子ドット内へのBまたはPの添加は、硬X線光電子分光法により確認した。ドット積層構造上に半透明Auゲート電極を形成し、ゲートから電子注入およびp-Si(100)基板から正孔を注入することで、不純物添加有無に依らず、可視から近赤外域でのエレクトロルミネッセンスが室温において観測され、その発光強度は、ゲート電圧3V以上において電流とともに増加する。B添加Si量子ドットにおいては、P添加および真性Si量子ドットに比べ、発光のしきい値は大幅に低減し、同一印加電圧下において発光強度は約2桁増大した。これは、Bアクセプタによりキャリアの注入効率が増加した結果であると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-06-18
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
牧原 克典
広大院先端研
-
池田 弥央
広大院先端研
-
宮崎 誠一
広大院先端研
-
池田 弥央
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
牧原 克典
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
奥山 一樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清二郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広大
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
-
牧原 克典
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
池田 弥央
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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