誘電性AFM探針によるゲルマニウムナノクリスタル/SiO_2の局所伝導評価
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概要
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高水素稀釈GeH_4ガスのRFグロー放電において、SiO_2膜上に、膜厚7-98nmの結晶性ゲルマニウム薄膜を堆積し、導電性AFM探針を用いて、表面形状像と二次元電流像の同時測定から、微結晶粒及び粒界の局所分析を行った。二次元電流像により、表面形状像に比べより微細な結晶粒を観測でき、膜厚の増大に伴った結晶粒の成長が検知できることを明らかにした。さらに、二次元電流像のコントラストはナノ結晶粒と粒界の電子濃度の違いに反映していることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-25
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
牧原 克典
広大院先端研
-
牧原 克典
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
岡本 祥裕
広島大学大学院先端物質科学研科
-
牧原 克典
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
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