UV-O_3酸化したGe(100)およびSi(100)表面の光電子分光分析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
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概要
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化学溶液洗浄したSi(100)基板及びGe(100)基板に、減圧O_2雰囲気中、室温で真空紫外光(7.2eV)を照射し、表面酸化の酸化進行に伴う化学構造及び欠陥密度分布の変化をそれぞれin-situ X線光電子分光法(XPS)及び光電子収率分光法(PYS)を用いて評価した。XPS分析の結果、Ge(100)の初期酸化過程(酸化膜厚〜1nm以下)においても、Si(100)の場合と同様に、膜厚約0.2nm毎に酸化進行が緩やかになる領域が現れ、layer-by-layer酸化の進行が示唆された。この時、両者の間で顕著な酸化レートの違いは観測されなかった。PYS測定の結果、GeOx/Ge(100)界面には、Geミッドギャップに相当するエネルギー位置で、SiO_2/Si(100)の場合よりも約1桁以上大きいことが分った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-03
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
中川 博
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
古川 寛章
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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