柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

概要

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下部電極としてW薄膜を形成した石英基板上に、プラズマCVDにより柱状Siナノ構造を高密度・一括形成した後、電気化学法による柱状Siの絶縁分離・ナノ結晶化処理後、上部電極として極薄Au電極を形成したAu/柱状Siナノ構造/Wのスタック構造において、導電性AFM探針を用いた二次元電流像の接触および非接触測定を行うことで、柱状ナノ構造の局所電気伝導を評価した。下部W電極-3V、上部Au電極を接地電位として、Au上部電極表面を接触測定した結果、膜中柱状Siナノ構造を反映して、極薄Au電極表面における弾道電子濃度の違いに起因した明瞭な高伝導領域が認められた.さらに、探針-基板間距離200nmで測定した二次元電流像においても、下部電圧-20V以上印加した場合に、非接触にも関わらず直径〜50nmの高伝導領域が明瞭に認められた。この高伝導領域は、表面形状像測定で確認された柱状Siナノ構造と直径が同程度であることから、電極間印加により膜中柱状Siナノ構造からの弾道電子検出で解釈できる。
2012-05-10