香野 淳 | 福岡大学理学部
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概要
関連著者
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香野 淳
福岡大学理学部
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香野 淳
福岡大学理学研究科応用物理学専攻
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広瀬 全孝
産業技術総合研究所
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池田 弥央
広大院先端研
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泊 博幸
福岡大学理学部
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西川 武蔵
福岡大学理学部
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田尻 恭之
福岡大理
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香野 淳
福岡大理
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宮崎 誠一
広島大学工学部
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廣瀬 全孝
広島大学工学部
著作論文
- シリコン量子ドットを用いたメモリーデバイスの開発
- シリコン量子ドットフローティングゲートMOS構造の電子注入特性とメモリ機能
- Si量子ドットの自己組織化形成と室温量子物性
- (1)研究科特別経費(研究科分タイプII)研究成果報告 : フェロ材料のナノ・局所構造の解析と物性発現に関する研究
- シリコン量子ドットフローティングゲートMOS構造の電子注入特性とメモリ機能
- 基礎物理教育用電子教材の作成
- シリコン基板上に形成したBi_4-xLa_xTi_3O_12薄膜の優先配向の結晶化過程における変化
- Si基板上に形成した多結晶Bi_La_xTi_3O_薄膜の容量-電圧(C-V)ヒステリシス特性と界面状態の評価(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Si基板上に形成した多結晶Bi_La_xTi_3O_薄膜の容量-電圧(C-V)ヒステリシス特性と界面状態の評価(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Si基板上に形成した多結晶Bi_La_xTi_3O_薄膜の容量-電圧(C-V)ヒステリシス特性と界面状態の評価(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)