半導体の表面研磨(MCPとCMP)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 1997-09-01

著者

• 江口 和弘

  (株)東芝

関連論文

• 窒素高濃度極薄SiON膜のV_改善メカニズム(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 次世代極薄ゲート酸窒化膜形成技術
• hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• HfSiON-CMOSFETの高性能・高信頼性に向けたHf濃度の指針(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
• 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム
• TEOSとtert-butoxideを用いたZr/Hfシリケイト薄膜の熱CVD
• CVD法によるDRAMキャパシタ用(Ba,Sr)TiO_3薄膜の形成
• 高誘電体と強誘電体
• 半導体の表面研磨(MCPとCMP)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク