ヘリウム一貫プロセスによる poly-Si/high-κ 絶縁膜/SiO_2/Si構造のシリサイド化抑制

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概要

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• 日本表面科学会の論文
• 2005-05-10

著者

• 村岡 浩一

  (株)東芝研究開発センター

• 村岡 浩一

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 村岡 浩一

  (株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

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