第一原理計算によるSi表面酸化過程の考察

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本表面科学会の論文
• 2002-09-10

著者

• 加藤 弘一

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 加藤 弘一

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボ

関連論文

• 窒素の強凝集によるSi(100)窒化膜形成機構
• 高窒素濃度SiON膜のNBTI特性とその窒素起因の劣化メカニズム
• Si(100)表面初期酸化における層状成長とP_欠陥生成
• 23pRJ-3 第一原理計算によるSiON膜のデザインと実現(実在表面・機能表面の物理,シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 第一原理計算によるSi表面酸化過程の考察

スポンサーリンク