ナノシミュレーションで探る新材料設計 (特集1/戦略的基盤ソフトウェアの開発)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 化学工業社の論文

著者

• 濱田 智之

  東大生研

• 大野 隆央

  物質材料研究機構:東大生産研

• 奈良 純

  物質材料研究機構:東大生産研

関連論文

• 20pHT-7 シリコン中多原子空孔の大規模第一原理計算(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21pPSA-11 Si(100)表面におけるスチレン分子列間の相互作用(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aRC-4 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算3(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pVC-14 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算2(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 21pWA-11 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 12aXF-3 Au(111) 表面上のチオレート分子吸着のテール分子依存性 : 理論的研究(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
• 23aYC-5 Au(111) 表面におけるチオフェンチオレート分子の吸着状態 : 理論的研究
• 20aPS-43 Au(111) 表面におけるベンゼンチオールの吸着状態に関する第一原理計算 II
• 31pWD-7 Au(111) 表面におけるベンゼンチオールの吸着状態に関する第一原理計算
• 27aXT-10 第一原理計算による酸化物ガラス中の欠陥の理論研究(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 30aPS-61 第一原理計算による鉄ポルフィリン分子の伝導特性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-68 金属電極に挟まれた単分子の伝導の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aXD-8 金電極に挟まれたポリフェニルジチオール分子の伝導特性(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 25pYK-10 シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21aRB-11 シリコン中単原子空孔の構造に関する第一原理計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 30p-S-4 水素終端Si(100)表面上でのSi island形成に関する理論的研究
• 30p-S-3 水素終端Si(100)2x1表面でのSiの吸着拡散過程
• 27pPSA-38 水素終端Si(001)表面における水素原子の反応性散乱過程の量子論(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 24aPS-106 金属電極に挟まれた1次元分子列の電気伝導特性(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-102 ファンデルワールス密度汎関数を用いた1次元鎖状有機物質の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-11 有機自己組織化膜絶縁層とゲート電極界面電子状態(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-17 ナノ電流スイッチに関する理論的研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-11 スチレン分子列の伝導特性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSB-19 金クラスターのCO酸化触媒活性に関する密度汎関数計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-57 自己形成ビスマスナノライン上に成長する銀ナノ構造に関する第一原理計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-45 ビスマスナノライン上銀吸着構造の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pTG-4 オーダーN法第一原理計算によるGe/Si(001)3次元構造の安定性に対する研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• MgO表面上のAun微粒子に対する第一原理計算 (特集:金ナノ構造)
• 21pWA-12 第一原理手法による圧電物性解析(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 29pXJ-8 Si(001)/SrTiO_3界面のバンド不連続に関する研究(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• ゲート絶縁膜材料の誘電率の第一原理計算 : 電子系及び格子系の誘電応答解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 12aTJ-7 立方晶 Ce_2O_3 の格子誘電率の第一原理計算(フォノン物性, 領域 10)
• 29pXK-1 Ce酸化物の誘電率の第一原理計算(誘電体)(領域10)
• 26aYH-12 分子架橋系の伝導特性に対する分子電極間相互作用の役割(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pPSB-15 第一原理計算によるビフェニル分子架橋系の伝導特性(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXA-12 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 分子電極間相互作用の役割(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pRJ-5 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 接続原子依存性(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pXB-1 κアルミナ中の水素の存在状態に関する理論的研究(領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素ダイナミクス),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27aXJ-9 Si(111)-(7x7)表面におけるフッ素の複合体拡散現象(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-51 Si(001)表面上ダイハイドライドの振動計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• ナノシミュレーション(すごーく小さいもの)
• ナノシミュレーションで探る新材料設計 (特集1/戦略的基盤ソフトウェアの開発)
• 15aPS-71 第一原理計算による有機分子の電気伝導特性(領域 9)
• 12aXG-3 Al 原子細線における電極構造と電気伝導特性(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 25pWB-1 半導体ナノチューブ構造における励起子の光過程(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
• 27pRE-2 半導体ナノチューブ構造の励起子過程における誘電率効果(27pRE 励起子・ポラリトン・高密度励起現象・局在中心・新物質,領域5(光物性))
• 21aXF-14 半導体ナノチューブ構造における励起子過程(表面・微粒子・ナノ結晶・低次元,領域5(光物性))
• 24aRA-13 カーボンナノチューブ内の強誘電的液体状の水(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aPS-61 第一原理計算による単分子架橋系の伝導特性 : 非弾性過程(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 2a-YF-8 水素終端Si(100)ステップ表面におけるSi原子拡散
• 5a-B-1 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算II : 水素原子の及ぼす効果
• 29p-F-13 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算
• Se δ ドープGaAsの電子構造I : Ga空孔の効果
• 3a-X-12 SeδドープGaAsの電子構造
• 23aYH-5 光誘起相転移現象を示すスピンクロスオーバー系の弾性相互作用モデルによる緩和現象の解析(光誘起相転移,他,領域5,領域7合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pTQ-7 光誘起相転移現象を示すスピンクロスオーバー系の弾性的相互作用による協力現象の解析(光誘起相転移,領域5,光物性)
• 24pXK-10 電極に挟まれた単分子の伝導特性 : 電子・フォノン相互作用の効果(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pPSA-64 Al原子細線の電気伝導特性(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pPSA-56 金電極に挟まれた分子の伝導特性(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pPSA-50 電極に挟まれたナノ構造の電気伝導特性の第一原理計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pPSA-57 金属電極に挟まれたベンゼンジチオールの伝導特性に関する理論的研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 20aZB-3 光誘起相転移を示すスピンクロスオーバー化合物の二次元弾性体モデルによる体積および圧力変化の解析(光誘起相転移,領域5,光物性)
• 23aRA-4 光誘起相転移を示すスピンクロスオーバー系の弾性体モデルの解析(23aRA 光誘起相転移,領域5(光物性))
• 27aRE-8 弾性体モデルによるスピンクロスオーバー現象の解析と光励起状態からの緩和過程の考察(27aRE 光誘起相転移,領域5(光物性))
• 19aXB-5 光照射により誘起される磁気秩序及びスピンクロスオーバー現象の非平衡ダイナミクス(光誘起相転移・磁性・新物質・顕微,領域5(光物性))
• 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23pPSA-32 第一原理計算による磁性電極に挟まれた分子の伝導特性(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aTG-7 カーボンナノチューブ内の水分子構造と水分子モデルの関係(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 水素終端Si表面におけるGe成長の理論
• 19pPSB-5 水素終端Si(001)表面におけるGe原子吸着に対する表面近傍Ge原子の影響
• 23pWA-11 水素終端Si(100)表面上でのGe原子拡散のシミュレーション
• 24pW-13 水素終端Si(100)表面におけるGe原子吸着 : Ge-Siダイマーの形成
• 28a-YM-1 水素終端Si(100)表面におけるGe原子拡散
• 24pCC-9 SiC微傾斜面上グラフェンのステップ端近傍における原子構造と基板への影響評価(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aAG-2 SiC中の螺旋転位構造と電子状態(19aAG 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXJ-14 ステップのついたSiC(0001)表面上でのグラフェン成長に関する第一原理分子動力学計算(27aXJ 領域7,領域4合同 グラフェン(表面界面・新物質),領域7(分子性固体・有機導体))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク