23pTA-2 水素化シリコンクラスターイオンを堆積したSi(111)-(7×7)表面の昇温挙動
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-09-10
著者
-
内田 紀行
産総研ナノ電子デバイス研究センター
-
金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
-
金山 敏彦
産総研次世代半導体
-
金山 敏彦
JRCAT-NAIR
-
Bolotov Leonid
Jrcat-atp
-
Bolotov L.
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
-
Bolotov Leonid
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
-
BOLOTOV Leonid
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
-
内田 紀行
JRCAT(融合研)
-
金山 敏彦
JRCAT-AIST
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