内田 紀行 | JRCAT(融合研)
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概要
関連著者
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金山 敏彦
JRCAT-NAIR
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内田 紀行
JRCAT(融合研)
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金山 敏彦
JRCAT-AIST
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内田 紀行
産総研ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
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金山 敏彦
産総研次世代半導体
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Bolotov Leonid
Jrcat-atp
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Bolotov L.
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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Bolotov Leonid
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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BOLOTOV Leonid
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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渡辺 美代子
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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渡辺 美代子
アトムテクノロジー研究体(atp)
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渡辺 美代子
JRCAT(ATP)
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木村 薫
東大工
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金山 敏彦
産総研・ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
産総研次世代半導体研究センター
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Bolotov L.
JRCAT(ATP)
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金山 敏彦
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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OTOV Leonid
JRCAT-融合研
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内田 紀行
JRCAT-AIST
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宮崎 剛英
AIST
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Bolotov L.
JRCAT-ATP
著作論文
- 28pXE-7 水素化Siクラスターの質量選別成長とSi単結晶表面への堆積
- 28p-ZF-5 水素化シリコンクラスターのシリコン表面上への堆積特性
- 25p-YE-3 水素化シリコンクラスターの輸送・堆積。
- 28pYQ-11 Composite Islands of Hydrogenated Silicon Clusters Formed on Si(111)-(7×7) Surfaces : Formation and Tunneling Spectroscopy Study
- 28pXE-8 ヒ素をドープした水素化シリコンクラスターイオンの構造と電子状態
- 23pWB-15 水素化ヒ素シリコンクラスターイオンAsSi_nH_x^+の成長
- 23pTA-3 Lateral assembling of hydrogen-saturated silicon clusters of silicon surfaces
- 23pTA-2 水素化シリコンクラスターイオンを堆積したSi(111)-(7×7)表面の昇温挙動
- 24pW-12 水素化シリコンクラスターのシリコン表面上への堆積 (3)
- 27pZ-13 水素化シリコンクラスターのシリコン表面上への堆積 (2)
- 26pWD-4 金属内包シリコンクラスターイオンの成長とシリコン衷面への堆積(26pWD クラスター・表面ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))