BOLOTOV Leonid | アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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概要
関連著者
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金山 敏彦
産総研次世代半導体
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Bolotov L.
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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Bolotov Leonid
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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BOLOTOV Leonid
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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内田 紀行
産総研ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
産総研ナノ電子デバイス研究センター:筑波大学数理物質科学研究科
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金山 敏彦
JRCAT-NAIR
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内田 紀行
JRCAT(融合研)
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金山 敏彦
JRCAT-AIST
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Bolotov Leonid
Jrcat-atp
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渡辺 美代子
アトムテクノロジー研究体-オングストロームテクノロジー研究機構
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渡辺 美代子
アトムテクノロジー研究体(atp)
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多田 哲也
産総研次世代半導体研究センター
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鈴木 腕
株式会社半導体先端テクノロジーズ 基盤技術研究部
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宮崎 剛英
産総研計算科学研究部門
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西澤 正泰
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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有本 宏
MIRAI-Selete
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金山 敏彦
アトムテクノロジー研究体 産業技術総合領域研究所
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西澤 正泰
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
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多田 哲也
産業技術総合研究所
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西澤 正泰
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
半導体MIRAIプロジェクト, 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
-
BOLOTOV Leonid
半導体MIRAIプロジェクト, 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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内田 紀行
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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宮崎 剛英
電子技術総合研究所
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渡辺 美代子
JRCAT(ATP)
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Bolotov L.
JRCAT(ATP)
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金山 敏彦
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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金山 敏彦
産業技術総合研 次世代半導体研究セ
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福田 浩一
産業技術総合研究所
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BOLOTOV Leonid
筑波大学
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鈴木 腕
富士通セミコンダクター
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佐藤 成生
富士通セミコンダクター
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有本 宏
産業技術総合研究所
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西澤 正泰
産業技術総合研
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西澤 正泰
産業技術総合研究所
著作論文
- 走査型トンネル顕微鏡を用いた二次元不純物分布計測
- Si(111)-(7×7)表面への水素化シリコンクラスターイオンの堆積
- 28pXE-7 水素化Siクラスターの質量選別成長とSi単結晶表面への堆積
- 23pWB-15 水素化ヒ素シリコンクラスターイオンAsSi_nH_x^+の成長
- 23pTA-3 Lateral assembling of hydrogen-saturated silicon clusters of silicon surfaces
- 23pTA-2 水素化シリコンクラスターイオンを堆積したSi(111)-(7×7)表面の昇温挙動
- 24pW-12 水素化シリコンクラスターのシリコン表面上への堆積 (3)
- 27pZ-13 水素化シリコンクラスターのシリコン表面上への堆積 (2)
- STMによるキャリア分布測定のデバイスシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)