黒野 浩和 | 日立中央研究所

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著作論文

• 補償されたGermaniumの負性抵抗の磁場による影響 : 半導体
• 8p-F-10 補償されたGeのマイクロ波電導度
• Compensated GeのCarrier Lifetime : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
• 補償されたGe, Siの負性抵抗の光照射効果 (II) : 半導体
• 4a-L-13 Ge,SiのCryosarの光照射の効果
• 10p-A-12 極低温に於けるゲルマニウムの負性抵抗

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