25a-ZG-15 Kをドーブした結晶GeSe、GeSe_2のラマン散乱
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-09-14
著者
関連論文
- 31a GF-4 固体水素の基礎吸収スペクトル
- 5p-AD-7 高分子薄膜の軟X線吸収
- 6a-AE-4 (SN)_x薄膜のSOR分光スペクトル
- 3a-TC-15 a-GeSe_2中のフォトドーパントAg・Cuによる光電子スペクトル
- 3a-TC-14 a-GeSe_2のSeコアエキシトンによる共鳴光電子放出
- 4p-A-14 コア・スペクトルからみたa-GeSe_2の中距離構造のフォト・ドーピング効果
- 4p-A-13 フォト・ドーピングされたa-GeSe_2の光電子スペクトル
- 25pL-8 GeSe系ガラスの構造緩和とネットワークの変化
- 27aC-6 Ge-(S, Se)系バルクガラスの構造および低振動数モード
- 27aC-5 GeSe_2ガラスの共鳴ラマン散乱と局所構造
- 31p-F-12 Ge-(S, Se)系バルクガラスにおける構造次元性とフラクタル性
- 30p-L-3 固体Neの3p-3s発光の励起スペクトル
- 2a-NL-4 GaAl_xAsにおける内殻励起子
- 2a-NL-1 シンクロトロン放射光を用いたエネルギー微分反射スペクトル
- 20pTH-15 ZuSe 中の CdSe 量子ドットにおける励起子緩和と時間応答
- 30pYH-11 ZnSe 中の CdSe 量子ドットにおける励起子緩和過程
- 28pYA-5 Al_xGa_As/AlAS量子細線における光強励起効果II
- 28pTC-9 Ge_xSe_(X=0.30〜0.37)ガラスのナノ相分離
- 28pTC-8 アモルファスGe_xSe_薄膜の熱アニール効果と光励起緩和過程
- 23pRA-14 Al_xGa_As/AlAs量子細線における光励起効果
- 26aYC-1 半導体SnGeS_3のラマン散乱スペクトルのモデル計算
- 29p-ZF-6 結晶GeSe_2のフォノンモードの同定と共鳴ラマン散乱
- 26p-YP-2 GaAs/AlAs/GaAsヘテロ構造のAl-2p内殻反射スペクトルの分散解析
- 29a-S-9 Ge_xSe_ガラスの低振動数ラマン散乱
- X=0.07近傍のGe_XSe_結晶相
- Eu^ドープGeS_2ガラスのイオン-格子相互作用
- 結晶GeSe_2の共鳴ラマンスペクトル
- 31p-F-11 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンススペクトル形状の励起エネルギー依存性
- 31p-F-10 Ge_xSe_ガラスのラマンスペクトルの温度依存性
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 27a-P-7 GaAs/AlGaAs多端子構造における磁気電子フォーカス効果
- 27p-B-11 GaAs/AlGaAs多端子素子での電子フォーカス効果
- 4p-N-11 n-InSbのサブミリ波サイクロトロン共鳴
- 5a-G-10 一軸性引張応力の下でのサイクロトロン共鳴
- 30a-M-10 低温, 高圧における量子強誘電的半導体の新しい抵抗異常と誘電率異常
- 2a-N-2 PbTe-SnTe半導体中のIII族不純物の電子 : 格子強結合
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- 30p-YN-9 高易動度 Poly-Si TFT の電子局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
- 29p-T-5 PtSi超薄膜のアンダーソン局在
- 26a-P-12 PtSi超薄膜の超伝導と局在
- 28a-B-2 PtSi薄膜の位相緩和時間
- 26p-ZB-4 Ptsi細線の位相緩和時間
- 6a-B1-8 GaAs-AlGaAs極微構造における非対称磁気抵抗のゆらぎ
- 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
- 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
- 30a-RB-6 高濃度にイオン注入したSi:Sb薄膜および細線の電気伝導
- 30a-RB-5 PtSi極微細線の電気伝導
- 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
- 14p-W-6 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 3a-KL-9 GaAsの表面ラマン散乱のキャリヤー濃度依存性
- 30p-P-2 固体Ne, ArのSTE発光の寿命
- 30p-P-1 固体ネオンの原子型・分子型STE発光の励起スペクトル
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- 1a-E-12 周期アンチドット系における磁気抵抗の弱磁場領域でのふるまい
- 異方アンチドット系における電気伝導度
- 28a-X-5 異方アンチドット系における電気伝導度
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- 3a-NGH-19 パイライト型化合物のVUV反射スペクトル
- 27a-F-7 Porous-Siのフォトルミネッセンスとラマンスペクトル
- 28p-W-3 AlAsのAl_2p内殻励起子と軟X線発光
- 30a-W-4 GeSe_2のフォトルミネッセンスの温度依存性と励起エネルギー依存性
- 29p-B-9 単結晶およびアモルファスGeSe_2のフォトルミネッセンスの温度依存性
- 29p-B-8 ガス中蒸着法によるGeSe_2微粒子のラマン散乱
- 26p-M-5 GeSe_2微粒子のラマン散乱
- 19aYJ-8 GaAs/AlAs/GaAsヘテロ構造のAl 2p界面励起子
- 22aXC-7 GaAs/AlAs/GaAsヘテロ構造のAl-2p界面内殻励起子の電子状態
- 31a-E-4 Ga_Al_xAsにおける内殻励起子(II)
- 3a-J-13 薄膜g-GeSe_2の光誘起結晶化
- 23pYB-6 置換型酸素不純物を含む単層カーボンナノチューブの共鳴ラマン散乱(23pYB 領域7シンポジウム:複合体化ナノチューブ様物質の可能性(吸着・結合・内包,テンプレート),領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aYJ-13 SnGeS_3の圧力誘起非晶質化
- 30p-ZE-13 GaAs/AlAs/GaAsヘテロ構造Al-2p内殻の反射スペクトル
- 26p-YP-1 GaAs/AlAs/GaAsヘテロ構造Al-2p内殻の反射スペクトル
- 2p-F-16 Geの3d内殻励起反射スペクトルと高エネルギー伝導帯
- 2a-J-3 K_2Seをドープした結晶GeSe_2の共鳴ラマン散乱
- 29a-G-11 K_2Seをドープした結晶GeSe_2のラマン散乱
- 31p-F-8 GeSe_2ガラスの時間分解フォトルミネッセンス測定
- 29p-X-12 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンスの励起エネルギー依存性
- 29a-YL-6 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンス
- 29p-X-13 Ge-Se系バルクガラスにおけるフロッピーモードの温度依存性
- 29p-X-10 GeSe_2のガラス転移のラマン散乱測定
- 29a-YL-5 アモルファスGeSe_2の光誘起結晶化過程におけるレーザースポットサイズ依存性
- 29a-YL-4 アモルファス / 結晶および液体GeSe_2のラマンスペクトルの温度依存性
- 3a-J-14 バルクガラスおよび結晶GeS_2のフォトルミネセンススペクトル
- 30p-L-7 アモルファスGeS_2のフォトルミネセンス測定
- 30p-L-6 結晶GeSe_2のフォトルミネッセンスの温度依存症
- 30p-L-5 断続的な光照射によるa-GeSe_2の光誘起結晶化過程
- 31p-M-11 a-GeSe_2 の光誘起結晶化のサイズ依存性
- 12a-DF-18 結晶GeSe_2のフォトルミネッセンス
- 25a-ZG-15 Kをドーブした結晶GeSe、GeSe_2のラマン散乱