29a-YL-6 Ge(S_xSe_<1-x>)_2ガラスのフォトルミネッセンス

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1995-03-16

著者

• 井上 恒一

  阪大産研

• 王 勇

  阪大工

• 邑瀬 和生

  阪大理

• 松田 理

  北大工

• 王 勇

  阪大理

• 松田 理

  阪大理

• 和田 佳樹

  阪大理

• 邑瀬 和生

  大阪教養

• 井上 恒一

  大阪大学産業科学研究所

関連論文

• 31a GF-4 固体水素の基礎吸収スペクトル
• 5p-AD-7 高分子薄膜の軟X線吸収
• 6a-AE-4 (SN)_x薄膜のSOR分光スペクトル
• 3a-TC-15 a-GeSe_2中のフォトドーパントAg・Cuによる光電子スペクトル
• 3a-TC-14 a-GeSe_2のSeコアエキシトンによる共鳴光電子放出
• 4p-A-14 コア・スペクトルからみたa-GeSe_2の中距離構造のフォト・ドーピング効果
• 4p-A-13 フォト・ドーピングされたa-GeSe_2の光電子スペクトル
• 14pXE-3 X 線異常散乱法による As-Se ガラスの部分構造の研究(液体合金, 液体半導体, 分子性液体, 領域 6)
• 30pZD-8 融液急冷 Ge-Se ガラスの構造および構造変化
• 22pYP-12 ネットワークガラスの構造緩和および硬さの相転移
• 25pL-8 GeSe系ガラスの構造緩和とネットワークの変化
• 27aC-6 Ge-(S, Se)系バルクガラスの構造および低振動数モード
• 27aC-5 GeSe_2ガラスの共鳴ラマン散乱と局所構造
• 29a-S-8 g-Ge_xSe_ガラス転移における構造緩和
• 31p-F-12 Ge-(S, Se)系バルクガラスにおける構造次元性とフラクタル性
• 30p-L-3 固体Neの3p-3s発光の励起スペクトル
• 2a-NL-4 GaAl_xAsにおける内殻励起子
• 2a-NL-1 シンクロトロン放射光を用いたエネルギー微分反射スペクトル
• 20pTH-15 ZuSe 中の CdSe 量子ドットにおける励起子緩和と時間応答
• 30pYH-11 ZnSe 中の CdSe 量子ドットにおける励起子緩和過程
• 28pYA-5 Al_xGa_As/AlAS量子細線における光強励起効果II
• 28pTC-9 Ge_xSe_(X=0.30〜0.37)ガラスのナノ相分離
• 28pTC-8 アモルファスGe_xSe_薄膜の熱アニール効果と光励起緩和過程
• 23pRA-14 Al_xGa_As/AlAs量子細線における光励起効果
• 26aYC-1 半導体SnGeS_3のラマン散乱スペクトルのモデル計算
• 29p-ZF-6 結晶GeSe_2のフォノンモードの同定と共鳴ラマン散乱
• 26p-YP-2 GaAs/AlAs/GaAsヘテロ構造のAl-2p内殻反射スペクトルの分散解析
• 29a-S-9 Ge_xSe_ガラスの低振動数ラマン散乱
• X=0.07近傍のGe_XSe_結晶相
• Eu^ドープGeS_2ガラスのイオン-格子相互作用
• 結晶GeSe_2の共鳴ラマンスペクトル
• 31p-F-11 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンススペクトル形状の励起エネルギー依存性
• 31p-F-10 Ge_xSe_ガラスのラマンスペクトルの温度依存性
• 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
• 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
• 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
• 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
• 27a-P-7 GaAs/AlGaAs多端子構造における磁気電子フォーカス効果
• 27p-B-11 GaAs/AlGaAs多端子素子での電子フォーカス効果
• 4p-N-11 n-InSbのサブミリ波サイクロトロン共鳴
• 5a-G-10 一軸性引張応力の下でのサイクロトロン共鳴
• 28pTC-7 硬さの相転移におけるネットワークガラスのダイナミクス
• 22pYP-11 Ge_xSe_ガラスの光学的振動モードラマンスペクトルの温度依存性
• 25pL-9 アモルファスSi/SiO_2多層膜のa-Siのラマン散乱
• 30a-M-10 低温, 高圧における量子強誘電的半導体の新しい抵抗異常と誘電率異常
• 2a-N-2 PbTe-SnTe半導体中のIII族不純物の電子 : 格子強結合
• poly-Si MOS FETの弱局在
• poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
• poly-Si MOS FETの弱局在
• poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
• 30p-YN-9 高易動度 Poly-Si TFT の電子局在
• 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
• 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
• 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
• 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
• 29p-T-5 PtSi超薄膜のアンダーソン局在
• 26a-P-12 PtSi超薄膜の超伝導と局在
• 28a-B-2 PtSi薄膜の位相緩和時間
• 26p-ZB-4 Ptsi細線の位相緩和時間
• 30p-P-2 固体Ne, ArのSTE発光の寿命
• 30p-P-1 固体ネオンの原子型・分子型STE発光の励起スペクトル
• 3a-NGH-19 パイライト型化合物のVUV反射スペクトル
• 27a-F-7 Porous-Siのフォトルミネッセンスとラマンスペクトル
• 29p-ZF-5 アモルファスGeSe_2薄膜のフォトルミネッセンス
• 26p-YE-12 Ge-(Se,S)系ガラスにおける硬さのパーコレーション
• 26p-YE-11 Ge-S-Se三元系ガラスにおけるカルコゲン原子の選択的サイト占有
• 26p-YE-5 結晶GeSe_2の時間分解フォトルミネッセンス
• 31p-YJ-5 g-Ge_xSe_の低エネルギーラマンスペクトルの温度依存性
• 28p-W-3 AlAsのAl_2p内殻励起子と軟X線発光
• 30a-W-4 GeSe_2のフォトルミネッセンスの温度依存性と励起エネルギー依存性
• 29p-B-9 単結晶およびアモルファスGeSe_2のフォトルミネッセンスの温度依存性
• 29p-B-8 ガス中蒸着法によるGeSe_2微粒子のラマン散乱
• 26p-M-5 GeSe_2微粒子のラマン散乱
• 19aYJ-8 GaAs/AlAs/GaAsヘテロ構造のAl 2p界面励起子
• 22aXC-7 GaAs/AlAs/GaAsヘテロ構造のAl-2p界面内殻励起子の電子状態
• 31a-E-4 Ga_Al_xAsにおける内殻励起子(II)
• 3a-J-13 薄膜g-GeSe_2の光誘起結晶化
• 23pYB-6 置換型酸素不純物を含む単層カーボンナノチューブの共鳴ラマン散乱(23pYB 領域7シンポジウム:複合体化ナノチューブ様物質の可能性(吸着・結合・内包,テンプレート),領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aYJ-13 SnGeS_3の圧力誘起非晶質化
• 30p-ZE-13 GaAs/AlAs/GaAsヘテロ構造Al-2p内殻の反射スペクトル
• 26p-YP-1 GaAs/AlAs/GaAsヘテロ構造Al-2p内殻の反射スペクトル
• 2p-F-16 Geの3d内殻励起反射スペクトルと高エネルギー伝導帯
• 2a-J-3 K_2Seをドープした結晶GeSe_2の共鳴ラマン散乱
• 29a-G-11 K_2Seをドープした結晶GeSe_2のラマン散乱
• 31p-F-8 GeSe_2ガラスの時間分解フォトルミネッセンス測定
• 29p-X-12 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンスの励起エネルギー依存性
• 29a-YL-6 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンス
• 29p-X-13 Ge-Se系バルクガラスにおけるフロッピーモードの温度依存性
• 29p-X-10 GeSe_2のガラス転移のラマン散乱測定
• 29a-YL-5 アモルファスGeSe_2の光誘起結晶化過程におけるレーザースポットサイズ依存性
• 29a-YL-4 アモルファス / 結晶および液体GeSe_2のラマンスペクトルの温度依存性
• 3a-J-14 バルクガラスおよび結晶GeS_2のフォトルミネセンススペクトル
• 30p-L-7 アモルファスGeS_2のフォトルミネセンス測定
• 30p-L-6 結晶GeSe_2のフォトルミネッセンスの温度依存症
• 25pZ-12 カルコパイライト半導体薄膜のラマンスペクトル
• 30p-L-5 断続的な光照射によるa-GeSe_2の光誘起結晶化過程
• 31p-M-11 a-GeSe_2 の光誘起結晶化のサイズ依存性
• 12a-DF-18 結晶GeSe_2のフォトルミネッセンス
• 31p-M-9 ゲルマニウムカルコゲナイドのフトルミネッセンス
• 25a-ZG-15 Kをドーブした結晶GeSe、GeSe_2のラマン散乱

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク