芹川 正 | Nttエレクトロニクスlsi事業部saセンター
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概要
関連著者
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芹川 正
Nttエレクトロニクスlsi事業部saセンター
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白井 誠一
Ntt境界研
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芹川 正
NTT境界研
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邑瀬 和生
阪大理
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鷹岡 貞夫
阪大院理
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邑瀬 和生
大阪教養
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鷹岡 貞夫
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音 賢一
阪大理
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東理大山口短大
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山口東理大
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阪大理
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陶山 史朗
Ntt境界領域研究所(nttグループ事業推進本部)
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阪大理
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阪大理
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松田 理
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松田 理
阪大理
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音 賢一
阪大・理
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鷹岡 貞夫
阪大・理
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邑瀬 和生
阪大・理
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小俣 冨士夫
NTT境界領域研究所
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岡本 章雄
NTT境界領域研究所
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石田 修一
山口東京理科大学基礎工学部電子基礎工学科
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陶山 史朗
NTT電子応用研
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芹川 正
NTT電子応用研
著作論文
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
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- 30p-YN-9 高易動度 Poly-Si TFT の電子局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
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- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
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- 大容量フリースペース光スイッチの光学系の設計
- マイクロボールレンズアレイを用いたフリースペース光スイッチ光学系のビーム出射特性
- フリースペース光スイッチの長スパン光学系の設計と特性
- 液晶を用いたフリースペース光スイッチの光学系の検討
- 12a-DF-12 a-Si/SiO_2多層膜のレーザーアニーリング
- O_2-Ar中スパッタ法によるpoly-Si TFT用ゲートSiO_2膜の低温形成
- レ-ザ照射スパッタ多結晶シリコン薄膜トランジスタ (ガラス基板上の薄膜トランジスタ技術)
- 高移動度ポリシリコンTFTのゲート電圧による半導体-金属転移と負の磁気抵抗 : 低温の微視的輸送現象
- 29p-ZK-6 Si-MOS FETにおける非局所的伝導