高移動度ポリシリコンTFTのゲート電圧による半導体-金属転移と負の磁気抵抗 : 低温の微視的輸送現象

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概要

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アモルファスSi薄膜のレーザー照射により作成したpoly-Si TFTの輸送現象のゲート電圧変化を詳しく調べ、低温の電気伝導特製が、約7kΩの画抵抗を境に大きく変化し、2次元電子系の半導体(ホッピング型)一金属(拡散型)転移が起きていることを見い出した。ゲート電圧によるこのような伝導特製の変化は、ゲート電圧の増加によって、バンド・テイル内のフェルミ準位が局在状態から弱局在状態に連続的に移行し、電気伝導が、ホッピング型から拡散型に変化するためであると考えられる。また、両局在領域で観察される負の磁気抵抗は、チャネル面内の電子の軌道運動に依存し、不規則ポテンシャル中の電子波の量子干渉効果によって半定量的に説明される。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-04-23

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