井上 恒一 | 阪大理
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概要
関連著者
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井上 恒一
阪大理
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邑瀬 和生
阪大理
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小林 光明
阪大理
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谷口 雅樹
広大院理
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菅 滋正
物性研
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井上 恒一
阪大産研
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谷口 雅樹
物性研
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小林 光明
阪大・理
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更家 淳司
京都工芸繊維大学工芸学部
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岡田 洋
阪大理
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松村 信男
京都工芸繊維大工芸
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松村 信男
京都工芸繊維大学 工芸学部 電子情報工学科
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更家 淳司
京都工芸繊維大学 工芸学部 電子情報工学科
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邑瀬 和生
阪大
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松田 理
北大工
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松田 理
阪大理
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藤安 洋
静大工
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小倉 基次
松下電器産業(株)半導体研究センター
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レ ホン.ソン
阪大理
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小倉 基次
松下電器半導体研究センター
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川本 浩司
阪大・理
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川本 浩司
阪大理
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レ ホン・ソン
阪大・理
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レ ホン・ソン
阪大理
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山崎 康二
静大工
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片山 俊治
阪大理
著作論文
- 3a-TC-15 a-GeSe_2中のフォトドーパントAg・Cuによる光電子スペクトル
- 3a-TC-14 a-GeSe_2のSeコアエキシトンによる共鳴光電子放出
- 4p-A-14 コア・スペクトルからみたa-GeSe_2の中距離構造のフォト・ドーピング効果
- 4p-A-13 フォト・ドーピングされたa-GeSe_2の光電子スペクトル
- 2p-D-9 ZnSxSe_ MBE薄膜のラマン散乱
- 3a-C-7 ZnSxSe1-x エピタキシャル薄膜のラマン散乱
- 27a-N-4 ZnSe-ZnS歪超格子のラマン散乱
- 27a-G-14 アモルファスGeSe_2の光誘起結晶化過程
- 30a-FC-5 ZnS-ZnTe超格子のフォノン(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 1p-D1-7 アモルファスGeSe_2の内殻励起子(1p D1 半導体(アモルファス・ナローギャップ),半導体)