水貝 俊治 | 阪大理
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概要
関連著者
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水貝 俊治
阪大理
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邑瀬 和生
阪大理
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川村 肇
阪大理
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福永 敏明
阪大理
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内田 慎一
東大工
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川村 肇
阪大 理
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高木 英典
東大工
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佐藤 正俊
分子研
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紀之定 俊明
阪大理
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中島 信一
阪大工
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梶谷 剛
東北大金研
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社本 真一
分子研
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田中 昭二
東海大理
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日高 義和
NTT電子応用研
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田中 洋一
阪大理
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福田 承生
東北大金研
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笠谷 祐史
静岡理工科大
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社本 真一
東北大院工
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黒岩 芳弘
岡山大・理
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山岸 昭雄
阪大極限セ
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堀 秀信
北陸先端大
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山岸 昭雄
阪大理
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武居 文彦
物性研
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野田 幸男
千葉大理
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佐藤 正俊
物性研
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寺内 暉
関西学院大・理
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米田 安宏
原研
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梶谷 剛
東北大院工学研究科
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黒岩 芳弘
千葉大理
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中島 信一
阪大工, 阪大超伝導セ
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堀 秀信
北陸先端大・材料
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細谷 正一
東北大金研
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田中 昭二
(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所
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寺内 暉
関西学院大
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細谷 正一
山梨工大
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細谷 正一
国立分子研
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鷹岡 貞夫
阪大理
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米田 安宏
関西学院大学・理学部
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沢田 康次
阪大理
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笠谷 祐史
関西学院大理
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細谷 正一
東北大理
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上田 徹
阪大理
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井上 森雄
松下電子研
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栗原 進
物性研
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古池 進
松下電子研
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森井 清博
阪大理
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笠谷 祐史
関西学院大・理
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高野 幹夫
京大化研
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秋光 純
青学大理工
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小池 洋二
東北大工
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東 正樹
京大化研
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勝井 明憲
茨城通研
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寺内 暉
関学大理工
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山田 和芳
東北大理
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遠藤 康夫
東北大理
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森 初果
超工研
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佐藤 正俊
名大理
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水貝 俊治
名大理
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森 初果
超伝導工学研
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斉藤 軍治
京大理
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北沢 宏一
東大工
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田中 昭二
東大工
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金道 浩一
阪大理
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柴田 直志
阪大理
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藤井 保彦
阪大基礎工
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矢持 秀起
京大理
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広井 善二
京大化研(CREST-JST)
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野地 尚
東北大工
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古沢 昌宏
北陸先端大・材料
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小野寺 昭史
阪大基礎工
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山田 和芳
東北大wpi材料機構
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丸山 有成
お茶大・理
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福島 孝明
阪大極限セ
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和田 淳一郎
東北大理
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藤井 保彦
東大・物性研
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榎本 陽一
NTT光エレ研
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村上 敏明
NTT研究所
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Yamada Kotaro
Department Of Engineering Hiroshima University
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榎本 陽一
超電導工学研究所
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村上 敏明
Ntt光エレ研
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古沢 昌宏
阪大理
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福島 孝明
阪大理
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斎藤 好民
東北大工
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三本木 孝
北大理
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細谷 正一
山梨大工
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渡辺 恭志
阪大理
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斉藤 好民
東北大 工 応物
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齋藤 好民
東北大・工
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Harris J.h.
Div. Engineering Brown University
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小若 雅彦
阪大基礎工
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小野寺 昭史
大阪大学基礎工学部
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井戸 立身
東大・工
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井戸 立身
東大工
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中村 泰信
東大工
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大石 泰正
阪大基礎工
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丸山 有成
お茶の水大理
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Nurmikko A.V.
Div. Engineering, Brown University
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中田 洋治
関西学院大理
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Yamada K
Department Of Physics Tohoku University:(present)institute For Chemical Research Kyoto University
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Yamada Kazuyoshi
Nagano Chushin Agricultural Experiment Station:(present Address)nagano Vegetable And Ornamental Crop
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Nurmikko A.v.
Div. Engineering Brown University
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薬師寺 一幸
阪大理
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吉見 琢也
阪大理
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社本 真二
分子研
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勝井 明憲
NTT研究所
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Yamada Kosaku
Research Institute For Fundamental Physics Kyoto University
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邑瀬 昭生
阪大理
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Yosida K
Sci. Univ. Tokyo Noda
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土平 晃寿
阪大理
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小柴 隆史
関学大・理
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小野寺 重文
仙台電波工業高
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小柴 隆史
関学大理
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榎本 陽一
NTT光エレクトロニクス研究所
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村上 敏明
NTT光エレクトロニクス研究所
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YAMADA Kenji
Department of Engineering Science, Junior College Funabashi Campus, Nihon University
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YAMADA Kosaku
Institute for Solid State Physics, University:College of Engineering, Shizuoka University
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村上 敏明
NTT光エレクトロニクス研
著作論文
- 14p-W-3 CuGeO_3のESR
- 15a-S-16 CuGeO_3の強磁場磁化過程
- 5p-YE-7 Pb_2Sr_2ACu_3O_8のラマン散乱
- 27p-APS-34 Md_Ce_xCuO_4とPr_Ce_xCuO_4の電子状態の相違点
- 27p-PS-45 La_2NiO_4, La_Ba_xCuO_4のLTT-LTO-HTT構造相転移と超伝導
- Nd_Ce_xCuO_4とPr_Ce_xCuO_4の酸素欠損位置と格子振動,マグノンおよび超伝導
- 27a-K-10 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の分子振動と電子-分子振動相互作用
- La_Sr_xCuO_4の超伝導組成のみにおけるフォノン対称性の破れ
- 5p-Z-9 Ba_xK_BiO_3及びBaPb_Bi_xO_3における遍歴電子、バイポーラロン共存下の超伝導
- 4p-N-14 金属表面からのラマン散乱機構
- 1p-TC-17 III-V族半導体中のマグネトプラズマモードからのラマン散乱
- 2a-KE-8 SnI_4の圧力誘起構造変態II非晶質金属状態
- 26p-PSA-37 1-マグノン・ラマン散乱によるLa_2NiO_4のスピン波ギャップのソフト化
- 30a-BA-1 ピコ秒分光によるCd_Mn_xTeのスピン緩和
- 27p-ZR-1 局所構造及び平均構造から見たCd_Zn_XTe半導体混晶の強誘電的相転移
- 27p-M-4 Cd_Zn_xTe半導体混晶の強誘電性
- 2p-W-10 (Ge, Sn)-カルコゲナイドのガラス形成・難易度
- 2p-W-9 a-Ge_Se_xの振動スペクトルのアニール効果
- 4a-B-1 層状半導体GeSe, SnSeの相転移
- 1p-B-7 C&a-(Ge, Sn)カルコゲナイドのフォノン・スペクトル
- 30a-E-2 層状半導体GeSeの相転移
- 2p-B-6 IV-VI族層状半導体GeSe,SnSeのフォノン・スペクトル
- 1a GF-12 IV-VI族半導体のバンド・ギャップと相転移
- 3p-AB-10 IV-VI族半導体のボンド・ギャップと相転移
- 29p-PSB-26 CaCuO_3のラマン散乱
- 15p-T-2 La_Nd_ySr_1CuO_4のラマン散乱
- 6p-PS-5 スピン及び電子間遷移による酸化物高温超伝導体のラマン散乱
- 6p-PS-4 酸化物高温超伝導体の格子振動
- 5p-U-8 Pb_Ge_xTe系の相転移点近傍における超音波の伝播
- 30a-S-5 黒燐のラマン散乱
- 5p-B-16 (Pb,Ge)Teの相転移 II
- 5a-L-1 ラマン散乱によるBaPb_Bi_xO_3の格子振動
- 5p-Z-10 酸化物高温超伝導体の光学的性質 : 多重マグノン散乱
- 31p-CA-6 自由エネルギーの Q,ε 展開による Pb_1-xGe_xTe,SnTe の相転移の考察
- 5p-B-11 SnTeのソフトTOフォノンによるラマン散乱
- 5p-U-7 (PbGe)Te系の抵抗異常
- 11p-F-7 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱 II
- 14p-W-8 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱
- 2p-W-24 TaS_3のラマン散乱スペクトル
- 2a-B-12 Cd_Zn_xの格子振動
- 3a GE-7 高圧下における半導体の格子振動
- 3p-AB-9 高圧下における半導体の格子振動
- 30p-TC-8 La_2NiO_4及びLa_2CoO_4の磁気ラマン散乱
- 30a-W-4 無限層構造超伝導体(Sr_Ca)_yCuO_2のラマン散乱
- 27a-Q-1 超高圧下半導体のフォノンスペクトル
- 31a-PS-68 酸化物超伝導体の光学的性質(31a PS 低温(酸化物超伝導))
- 31a-E3-2 (TaSe_4)_2I及び(NbSe_4)_2Iにおける電荷密度波転移と格子振動(31a E3 半導体(擬一次元物質),半導体)
- 31a-E3-3 (TaSe_4)_2Iの構造相転移とラマン散乱(理論)(31a E3 半導体(擬一次元物質),半導体)