Nd_<2-x>Ce_xCuO_4とPr_<2-x>Ce_xCuO_4の酸素欠損位置と格子振動,マグノンおよび超伝導

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1990-10-02

著者

• 水貝 俊治

  阪大理

• 日高 義和

  NTT電子応用研

関連論文

• 14p-W-3 CuGeO_3のESR
• 15a-S-16 CuGeO_3の強磁場磁化過程
• 5p-YE-7 Pb_2Sr_2ACu_3O_8のラマン散乱
• 27p-APS-34 Md_Ce_xCuO_4とPr_Ce_xCuO_4の電子状態の相違点
• 27p-PS-45 La_2NiO_4, La_Ba_xCuO_4のLTT-LTO-HTT構造相転移と超伝導
• Nd_Ce_xCuO_4とPr_Ce_xCuO_4の酸素欠損位置と格子振動,マグノンおよび超伝導
• 高温超伝導体単結晶における一軸圧縮効果
• 3a-TD-2 Pr_2CuO_4のESR
• 2a-F-15 Pr_2CuO_4の強磁場磁化とPrの基底状態
• 2a-F-14 Nd_2Cu0_4の磁場誘起相転移
• 27a-K-10 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2の分子振動と電子-分子振動相互作用
• La_Sr_xCuO_4の超伝導組成のみにおけるフォノン対称性の破れ
• 5p-Z-9 Ba_xK_BiO_3及びBaPb_Bi_xO_3における遍歴電子、バイポーラロン共存下の超伝導
• 状態図と単結晶育成 (酸化物高温超伝導体--現状と展望)
• 4p-N-14 金属表面からのラマン散乱機構
• 1p-TC-17 III-V族半導体中のマグネトプラズマモードからのラマン散乱
• 2a-KE-8 SnI_4の圧力誘起構造変態II非晶質金属状態
• 26p-PSA-37 1-マグノン・ラマン散乱によるLa_2NiO_4のスピン波ギャップのソフト化
• 30a-BA-1 ピコ秒分光によるCd_Mn_xTeのスピン緩和
• 27p-ZR-1 局所構造及び平均構造から見たCd_Zn_XTe半導体混晶の強誘電的相転移
• 27p-M-4 Cd_Zn_xTe半導体混晶の強誘電性
• 2p-W-10 (Ge, Sn)-カルコゲナイドのガラス形成・難易度
• 2p-W-9 a-Ge_Se_xの振動スペクトルのアニール効果
• 4a-B-1 層状半導体GeSe, SnSeの相転移
• 1p-B-7 C&a-(Ge, Sn)カルコゲナイドのフォノン・スペクトル
• 30a-E-2 層状半導体GeSeの相転移
• 2p-B-6 IV-VI族層状半導体GeSe,SnSeのフォノン・スペクトル
• 1a GF-12 IV-VI族半導体のバンド・ギャップと相転移
• 3p-AB-10 IV-VI族半導体のボンド・ギャップと相転移
• 29p-PSB-26 CaCuO_3のラマン散乱
• 15p-T-2 La_Nd_ySr_1CuO_4のラマン散乱
• 31p-PS-116 Pr_Ce_xCuO_4単結晶の電気的磁気的特性
• 6p-PS-5 スピン及び電子間遷移による酸化物高温超伝導体のラマン散乱
• 6p-PS-4 酸化物高温超伝導体の格子振動
• 5p-U-8 Pb_Ge_xTe系の相転移点近傍における超音波の伝播
• 30a-S-5 黒燐のラマン散乱
• 5p-B-16 (Pb,Ge)Teの相転移 II
• 5a-L-1 ラマン散乱によるBaPb_Bi_xO_3の格子振動
• 5p-Z-10 酸化物高温超伝導体の光学的性質 : 多重マグノン散乱
• 31p-CA-6 自由エネルギーの Q,ε 展開による Pb_1-xGe_xTe,SnTe の相転移の考察
• 5p-B-11 SnTeのソフトTOフォノンによるラマン散乱
• 5p-U-7 (PbGe)Te系の抵抗異常
• 11p-F-7 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱 II
• 14p-W-8 CuGaS_2からの共鳴ラマン散乱
• 2p-W-24 TaS_3のラマン散乱スペクトル
• 2a-B-12 Cd_Zn_xの格子振動
• 3a GE-7 高圧下における半導体の格子振動
• 3p-AB-9 高圧下における半導体の格子振動
• 30p-TC-8 La_2NiO_4及びLa_2CoO_4の磁気ラマン散乱
• 30a-W-4 無限層構造超伝導体(Sr_Ca)_yCuO_2のラマン散乱
• 27a-Q-1 超高圧下半導体のフォノンスペクトル
• 31a-PS-68 酸化物超伝導体の光学的性質(31a PS 低温(酸化物超伝導))
• 31a-E3-2 (TaSe_4)_2I及び(NbSe_4)_2Iにおける電荷密度波転移と格子振動(31a E3 半導体(擬一次元物質),半導体)
• 31a-E3-3 (TaSe_4)_2Iの構造相転移とラマン散乱(理論)(31a E3 半導体(擬一次元物質),半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク